[发明专利]多通道半导体装置和包括该装置的显示装置无效

专利信息
申请号: 201110399541.2 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102568412A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 权宰郁;安昌镐;徐基源;李成浩 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 通道 半导体 装置 包括 显示装置
【权利要求书】:

1.一种多通道半导体装置,包括:

多个缓冲器组,每个缓冲器组包括至少一个输出缓冲器;

多个焊盘组,每个焊盘组包括至少一个输出焊盘;以及

通道切换部分,控制所述多个缓冲器组与所述多个焊盘组之间的连接,

其中,所述多个焊盘组中的一个焊盘组在第一操作模式中输出缓冲器组中的一个缓冲器组的输出信号,并在第二操作模式中连续输出所有缓冲器组的输出信号。

2.如权利要求1所述的多通道半导体装置,其中,通道切换部分包括:

多个输出切换部分,控制相应的缓冲器组的至少一个输出端与相应的焊盘组的至少一个输出焊盘之间的连接;以及

多个移位切换部分,控制相应的焊盘组的至少一个输出焊盘与多个公共节点中的至少一个公共节点之间的连接。

3.如权利要求2所述的多通道半导体装置,其中,如果在第二操作模式中接通移位切换部分中的一个移位切换部分,则移位切换部分中的所述一个移位切换部分中将来自公共节点的信号发送到相应的焊盘组的多个输出焊盘,如果以在第二操作模式中接通所述多个移位切换部分中的其它移位切换部分的每一个,则所述其它移位切换部分的每一个将相应的缓冲器组的多个输出信号发送到多个公共节点。

4.如权利要求3所述的多通道半导体装置,其中,在第二操作模式中,所述多个输出切换部分中的一个输出切换部分在与所述其它移位切换部分不同的时间接通。

5.如权利要求4所述的多通道半导体装置,其中,在第二操作模式中,在预定时间期间连续接通所述一个输出切换部分和所述其它移位切换部分。

6.如权利要求5所述的多通道半导体装置,其中,至少在连续接通所述其它移位切换部分的时间段期间,所述一个输出切换部分处于接通状态。

7.如权利要求6所述的多通道半导体装置,其中,所述多个输出切换部分的每一个包括多个开关,每个开关具有连接到相应的输出缓冲器的一端以及连接到相应的输出焊盘的另一端,所述多个移位切换部分的每一个包括多个开关,每个开关具有连接到相应的输出焊盘的一端以及连接到相应的公共节点的另一端。

8.如权利要求7所述的多通道半导体装置,其中,所述一个输出切换部分的开关响应于第一输出使能信号被接通或断开,其它输出切换部分的开关响应于第二输出使能信号被接通或断开,所述一个移位切换部分的开关响应于移位使能信号被接通或断开,所述其它移位切换部分的开关响应于相应的移位脉冲被接通或断开。

9.如权利要求8所述的多通道半导体装置,还包括:控制部分,响应于移位使能信号、移位开始脉冲和第二输出使能信号来产生第一输出使能信号和多个移位脉冲。

10.如权利要求9所述的多通道半导体装置,其中,控制部分包括:

移位寄存器,响应于移位使能信号和移位开始脉冲来产生多个移位脉冲;以及

AND门,通过将第二输出使能信号与多个移位脉冲中的一个逻辑相乘来产生第一输出使能信号。

11.如权利要求10所述的多通道半导体装置,其中,在第二操作模式中,在预定时间期间,第二输出使能信号处于高逻辑电平,移位使能信号处于高逻辑电平,移位开始脉冲处于高逻辑电平,随后多个移位脉冲在预定时间期间连续处于高逻辑电平。

12.一种包括多个输出通道的多通道半导体装置,其中,所述多个输出通道中的每一个包括:

输出焊盘;

输出缓冲器,产生输出信号;

第一开关,控制输出缓冲器与输出焊盘之间的连接;以及

第二开关,控制输出焊盘与N个公共节点中相应的公共节点之间的连接,

其中,所述多个输出通道被划分为多个组,每个组包括至少一个输出通道,所述多个组中的一个组的输出焊盘在多通道半导体装置的测试模式下连续输出所述多个组的输出信号。

13.如权利要求12所述的多通道半导体装置,其中,在测试模式中,分别响应于连续激活的移位脉冲来连续接通所述多个组中的其它组的第二开关。

14.如权利要求13所述的多通道半导体装置,其中,至少在连续接通所述其它组的第二开关的时间段期间,所述一个组的每个第二开关处于接通状态。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110399541.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top