[发明专利]发光二极管装置有效
申请号: | 201110399454.7 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN103107270A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 柯力群;吴国祯 | 申请(专利权)人: | 广镓光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光二极管装置,尤其是涉及一种管芯的叠层结构具有双面反射层的发光二极管装置。
背景技术
对于发光二极管装置而言,如何提升发光效率一直是很重要的课题。在现有的技术中,已有许多不同的解决方法被提出,其中一种是将发光二极管管芯的基底的表面形成一具有凹凸结构的反射表面,以便使发光二极管管芯内部的光得以反射至外部。
图1A是绘示一种现有的发光二极管装置封装前的示意图;图1B是绘示图1A的发光二极管装置封装后的示意图。请一并参考图1A、图1B,发光二极管装置110包含发光二极管管芯112以及封装体124,其中,封装体124承载并封装该管芯112,且内侧面126为一反射面。发光二极管管芯112则包含蓝宝石(sapphire)基板114、以及叠层结构116,其中,叠层结构116位于蓝宝石基板114上且包含缓冲层150、氮化镓构成的n型接触层152、n型电极154、发光层156、氮化镓构成的p型接触层158、氮化镓掺杂镁层160、铟锡氧化物层162、p型电极164。发光二极管管芯112各层、封装体124的材料以及形成方法皆为现有技术,可参考中国台湾专利公告号575970、567618、523939、522579所记载的内容,在此不再赘述。请再次参考图1B,蓝宝石基板114的表面具有一凹凸反射结构114a,可将来自发光层156的光线RL反射至封装体124,并通过内侧面126而反射至发光二极管装置110外部。
然而,具有上述结构的发光二极管装置的发光效率仍有待提升。
发明内容
有鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种管芯的叠层结构,其具有双面反射层的发光二极管装置。
在一实施例中,发光二极管装置包括一管芯。该管芯包括一基底以及一叠层结构。该叠层结构位于该基底上且包括彼此独立的一中间部分以及一周围部分。该周围部分位于该中间部分的周围且具有一面对该中间部分的内侧面。该内侧面具有一反射层,而该反射层具有一第一反射面以及一第二反射面。该第一反射面面对该中间部分,且该第二反射面与该周围部分的内侧面接触。
在另一个实施例中,发光二极管装置包括:
一管芯,该管芯包括一基底以及一叠层结构,该叠层结构位于该基底上且包括彼此独立的一中间部分以及一周围部分,该周围部分位于该中间部分的周围且具有一内侧面,该内侧面具有一反射层,而该反射层具有一第一反射面以及一第二反射面,该第一反射面面对该中间部分,且该第二反射面与该周围部分的内侧面接触;以及
一封装体,承载并环绕该管芯,该封装体的一内侧面与一内部底面分别为一第三反射面与一第四反射面,其中该第三反射面面对且实质上平行该第二反射面;
其中,该基底由透光材料构成,而该基底与该中间部分接触区域的表面可透光,且该基底的厚度足以让该中间部分的一发光层的部分光线通过该接触区域的表面后在该第四反射面反射并到达该第三反射面。
附图说明
图1A是绘示一种现有的发光二极管装置封装前的示意图;
图1B是绘示图1A的发光二极管装置封装后的示意图;
图2A~图2D是绘示本发明一实施例的发光二极管装置制作工艺的示意图。
主要元件符号说明
110~发光二极管装置
112~管芯
114~基底
114a~凹凸结构
116~叠层结构
124~封装体
126~内侧面
150~缓冲层
152~n型接触层
154~n型电极
156~发光层
158~p型接触层
160~氮化镁层
162~铟锡氧化物层
164~p型电极
210~发光二极管装置
212~管芯
214~基底
216~叠层结构
218~中间部分
220~周围部分
220a~内侧面
222~反射层
222a~第一反射面
222b~第二反射面
224~封装体
226~第三反射面
228~第四反射面
232~发光层
234~表面
250~缓冲层
252~n型接触层
254~n型电极
258~p型接触层
260~氮化镓掺杂镁层
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