[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包括：

管芯，包括基底以及叠层结构，该叠层结构位于该基底上且包括彼此独立的中间部分以及周围部分，该周围部分位于该中间部分的周围且具有一面对该中间部分的内侧面，该内侧面具有反射层，而该反射层具有第一反射面以及第二反射面，其中该第一反射面面对该中间部分，且该第二反射面与该周围部分的内侧面接触。

2.如权利要求1的发光二极管装置，还包括：

封装体，承载并环绕该管芯，该封装体的内侧面与内部底面分别为第三反射面与第四反射面；

其中，该基底由透光材料构成且具有一接触区域用于与该中间部分接触，而该中间接触区域的表面可透光，且该基底的厚度足以让该中间部分的发光层的部分光线通过该接触区域的表面后在该第四反射面反射。

3.如权利要求1的发光二极管装置，其中该基底的厚度介于5μm与100μm之间。

4.如权利要求2的发光二极管装置，其中该第二反射面与该第三反射面的水平距离不大于该封装体内径的一半，足以让该发光层的部分光线在该第三反射面反射后到达该第二反射面。

5.如权利要求1的发光二极管装置，其中该周围部分与该中间部分具有实质上相同的高度。

6.如权利要求1的发光二极管装置，其中该反射层由金属或氧化物构成。

7.如权利要求6的发光二极管装置，其中该反射层是氧化物或金属与氧化物的叠层结构。

8.如权利要求6的发光二极管装置，其中该反射层的材料选自由银、铝、SiO₂及TiO₂所组成的一群组中的其一。

9.如权利要求1的发光二极管装置，其中该基底介于该中间部分与该周围部分之间的上表面外露，且中间部分的底部至该反射层的底部的距离不大于1μm。

10.如权利要求1的发光二极管装置，其中该周围部分的该内侧面与该基底的上表面间具有锐角，且该锐角介于40度与60度之间。

11.一种发光二极管装置，包括：

管芯，包括基底以及叠层结构，该叠层结构位于该基底上且包括彼此独立的中间部分以及周围部分，该周围部分位于该中间部分的周围且具有内侧面，该内侧面具有反射层，该反射层由金属或氧化物构成，而该反射层具有第一反射面以及第二反射面，其中该第一反射面面对该中间部分，且该第二反射面与该周围部分的内侧面接触；以及

封装体，承载并环绕该管芯，该封装体的内侧面与内部底面分别为第三反射面与第四反射面，其中该第三反射面面对该第二反射面；

其中，该基底由透光材料构成且具有接触区域，用于与该中间部分接触，而该接触区域的表面可透光，且该基底的厚度足以让该中间部分的发光层的部分光线通过该接触区域的表面后在该第四反射面反射并到达该第三反射面。

12.如权利要求11的发光二极管装置，其中该基底的厚度介于5μm与100μm之间。

13.如权利要求11的发光二极管装置，其中该第二反射面与该第三反射面的水平距离不大于该封装体内径的一半，足以让该发光层的部分光线在该第三反射面反射后到达该第二反射面。

14.如权利要求11的发光二极管装置，其中该反射层为氧化物及金属的叠层结构，且该第一反射面由该氧化物构成，而该第二反射面由该金属构成。

15.如权利要求14的发光二极管装置，其中该反射层的材料选自由银、铝、SiO₂及TiO₂所组成的一群组中的其一。

16.如权利要求14的发光二极管装置，其中该反射层是SiO₂与TiO₂的叠层结构。

17.如权利要求11的发光二极管装置，其中该基底介于该中间部分与该周围部分之间的上表面外露，且中间部分的底部至该反射层的底部的距离不大于1μm。

18.如权利要求11的发光二极管装置，其中该周围部分的该内侧面与该基底的上表面间具有锐角，且该锐角介于40度与60度之间。

19.如权利要求11的发光二极管装置，其中该封装体的该第三反射面实质上平行该第二反射面。

20.如权利要求11的发光二极管装置，其中该周围部分与该中间部分具有实质上相同的高度。