[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括：

基板；

选通线，所述选通线沿着第一方向排列在所述基板上；

数据线，所述数据线沿着第二方向与所述选通线交叉排列以限定相邻的第一像素区域和第二像素区域，所述数据线被所述第一像素区域和所述第二像素区域共用；

公共线，所述公共线沿着所述第二方向与所述数据线基本平行地排列；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与所述选通线连接的栅极、与所述数据线连接的源极、面对所述源极形成的漏极和与所述栅极交叠形成的有源层，其中，栅极绝缘膜介于所述有源层和所述栅极之间；

像素电极，所述像素电极与所述漏极连接；

钝化膜，所述钝化膜形成在包括所述薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜的整个表面上；以及

公共电极，所述公共电极形成在所述钝化膜上，并通过公共接触孔与所述公共线连接，其中，通过选择性地去除所述钝化膜形成所述公共接触孔。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板还包括：

连接部分，所述连接部分形成在所述钝化膜上并位于所述数据线上方，其中，所述钝化膜介于所述连接部分和所述数据线之间，所述连接部分将所述第一像素区域和所述第二像素区域的所述公共电极彼此连接。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述选通线和所述栅极具有双层结构，在所述双层结构中，按顺序沉积透明导电材料层和非透明导电材料层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，利用相同材料形成所述像素电极和所述选通线，并且所述像素电极通过连接电极与所述漏极电连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中，利用相同材料形成所述连接电极和所述公共电极。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述公共电极形成在位于所述第一像素区域和所述第二像素区域的边缘处的所述公共线上方。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，利用相同材料形成所述公共电极和所述连接部分。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述连接部分是桥形的，用于连接所述第一像素区域和所述第二像素区域的公共电极。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述公共电极在所述第一像素区域或所述第二像素区域、所述公共线以及所述公共线与所述第一像素区域或所述第二像素区域之间的区域的上方延伸。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述公共电极包括覆盖所述第一像素区域的第一公共电极和覆盖所述第二像素区域的第二公共电极，并且所述第一公共电极和所述第二公共电极具有相同的图案。

11.一种用于形成薄膜晶体管基板的方法，所述方法包括以下步骤：

形成选通线，所述选通线沿着第一方向排列在基板上；

形成数据线，所述数据线沿着第二方向排列，所述数据线与所述选通线交叉以限定相邻的第一像素区域和第二像素区域，所述数据线被所述第一像素区域和所述第二像素区域共用；

形成公共线，所述公共线沿着所述第二方向与所述数据线基本平行地排列；

形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与所述选通线连接的栅极、与所述数据线连接的源极、面对所述源极的漏极以及与所述栅极交叠的有源层，其中，栅极绝缘膜介于所述有源层和所述栅极之间；

形成像素电极，所述像素电极与所述漏极连接；

在包括所述薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜的整个表面上形成钝化膜；以及

在所述钝化膜上形成公共电极，并且所述公共电极通过公共接触孔与所述公共线连接。

12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

在所述钝化膜上形成连接部分，并且所述连接部分位于所述数据线上方，其中，所述钝化膜介于所述连接部分和所述数据线之间，所述连接部分将所述第一像素区域和所述第二像素区域的所述公共电极彼此连接。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述选通线和所述栅极具有双层结构，在所述双层结构中，按顺序沉积透明导电材料层和非透明导电材料层。