[发明专利]一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关发光二极管，特别是指可增加发光效率的发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)中主要由发光的半导体材料多重磊晶而成，以蓝光发光二极管为例。其主要是由氮化镓基(GaN-based)磊晶薄膜组成，堆栈形成具有一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层的三明治结构。

请参阅图1所示，为一种现有水平式发光二极管1，其在P型半导体2中置入电流阻挡层3，以通过电流阻挡层3的阻挡而分散电流让发光层4可以均匀的发光而增加发光效率，然而此种水平式发光二极管结构，其发光区域先天上受到了限制，为了减少电极的光遮蔽量，其P型电极5多半采用透明的导电层(如氧化铟锡)，以增加透光率，然而氧化铟锡的导电率不佳，易造成接口效应，导致阻抗增加，其发光效率无法有效的提高。

请参阅图2所示，为另一种现有垂直式发光二极管6，其不须采用透明导电层，因而没有氧化铟锡导电率不佳的问题，然而其让该电流阻挡层7设置在P型半导体8与P型电极9之间，其造成P型半导体8与P型电极9的接触面积减少，仍然会导致阻抗的增加，而无法有效提高发光效率。

显然，现有技术在分散电流的同时，其无法控制阻抗的增加，因而无法真正提高发光效率，满足使用上的需求。

发明内容

本发明的主要目的在于公开一种发光二极管结构，其可有效控制接触阻抗，以确实提升发光效率，而满足使用上的需求。

本发明的次要目的在于公开一种发光二极管结构制作方法，以产制一可有效控制接触阻抗的发光二极管结构，而提升发光效率，以满足使用上的需求。

经由以上可知，为达上述目的，本发明为一种具电流扩散结构的发光二极管，其包含：一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一N型电极、一P型电极与一电流阻挡层，其中该发光层设置在该N型半导体层的一侧，该P型半导体层设置在该发光层远离该N型半导体层的一侧，该N型电极具有一图案分布，且设置在该N型半导体层远离该发光层的一侧，该P型电极设置在该P型半导体层远离该发光层的一侧，该电流阻挡层具有该图案分布且对应该N型电极埋设在该N型半导体层内。

较佳地，该电流阻挡层为选自金属氧化物制成。

较佳地，该电流阻挡层为选自二氧化钛与二氧化硅所组成的群组制成。

较佳地，该电流阻挡层的厚度为10～500纳米。

较佳地，该N型半导体层包含一第一N型半导体层与一第二N型半导体层，该电流阻挡层设置在该第一N型半导体层与该第二N型半导体层之间。

较佳地，该P型电极与该P型半导体层之间更设置一金属反射层，该金属反射层为选自铝、镍、银与钛所组成的群组制成。

较佳地，该金属反射层与该P型电极之间更设置一屏障层、一结合层与一永久基板，该屏障层为选自钛、钨、铂、镍、铝与铬所组成的群组制成，该结合层为选自金锡合金、金铟合金与金铅合金的任一种制成，该永久基板为选自硅基板、铜基板、铜钨基板、氮化铝基板与氮化钛基板的任一种制成。

而本发明的制造方法，其步骤为先在一暂时基板上长晶形成该N型半导体层、埋设在该N型半导体层内的该电流阻挡层、该发光层与该P型半导体层等结构，再转黏合在一永久基板上后，去除该暂时基板，最后镀上该N型电极与该P型电极后即完成。

据此，本发明通过埋藏该电流阻挡层在该N型半导体层内的方式，在分散电流的同时，可有效控制接触阻抗，且本发明可让该发光层的主要发光区远离该N型电极，以减少该N型电极的光遮蔽量而确实提升发光效率，而满足使用上的需求。

附图说明

图1为现有发光二极管结构图；

图2为另一现有发光二极管结构图；

图3A为本发明发光二极管结构图；

图3B为本发明发光二极管电流流向图；

图4A～4E为本发明发光二极管制造流程图。

具体实施方式

兹有关本发明的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是，该等实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明实施的限制。