[发明专利]一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法

权利要求书

1.一种具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，包含：

一N型半导体层；

一发光层，该发光层设置在该N型半导体层的一侧；

一P型半导体层，该P型半导体层设置在该发光层远离该N型半导体层的一侧；

一N型电极，该N型电极具有一图案分布，且设置在该N型半导体层远离该发光层的一侧；

一P型电极，该P型电极设置在该P型半导体层远离该发光层的一侧；

一电流阻挡层，该电流阻挡层具有该图案分布且对应该N型电极埋设在该N型半导体层内。

2.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层为选自金属氧化物制成。

3.根据权利要求2所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层为选自二氧化钛与二氧化硅所组成的群组制成。

4.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层的厚度为10～500纳米。

5.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该N型半导体层包含一第一N型半导体层与一第二N型半导体层，该电流阻挡层设置在该第一N型半导体层与该第二N型半导体层之间。

6.根据权利要求1所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该P型电极与该P型半导体层之间更设置一金属反射层，该金属反射层为选自铝、镍、银与钛所组成的群组制成。

7.根据权利要求6所述的具电流扩散结构的发光二极管，其特征在于，该金属反射层与该P型电极之间更设置一屏障层、一结合层与一永久基板，该屏障层为选自钛、钨、铂、镍、铝与铬所组成的群组制成，该结合层为选自金锡合金、金铟合金与金铅合金的任一种制成，该永久基板为选自硅基板、铜基板、铜钨基板、氮化铝基板与氮化钛基板的任一种制成。

8.一种具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，步骤包含：

于一暂时基板上长晶形成一第一N型半导体层；

在该第一N型半导体层上形成具一图案分布的一电流阻挡层；

在该第一N型半导体层上侧向长晶形成一第二N型半导体层而包覆埋藏该电流阻挡层；

在该第二N型半导体层上形成一发光层；

在该发光层上形成一P型半导体层；

在该P型半导体层上形成一金属反射层；

在该金属反射层上形成一屏障层；

使该屏障层通过一结合层与一永久基板结合；

去除该暂时基板，在该永久基板镀上一P型电极；

让该第一N型半导体层的表面粗糙化，并在对应该电流阻挡层的位置镀上具该图案分布的一N型电极。

9.根据权利要求8所述的具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，该电流阻挡层为选自金属氧化物制成。

10.根据权利要求9所述的具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，该电流阻挡层为选自二氧化钛与二氧化硅所组成的群组制成。

11.根据权利要求8所述的具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，该电流阻挡层的厚度为10～500纳米。

12.根据权利要求8所述的具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，该金属反射层为选自铝、镍、银与钛所组成的群组制成。

13.根据权利要求8所述的具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，该屏障层为选自钛、钨、铂、镍、铝与铬所组成的群组制成，该结合层为选自金锡合金、金铟合金与金铅合金的任一种制成，该永久基板为选自硅基板、铜基板、铜钨基板、氮化铝基板与氮化钛基板的任一种制成。

14.根据权利要求8所述的具电流扩散结构的发光二极管制造方法，其特征在于，在该暂时基板上长晶形成该第一N型半导体层之前，先在该暂时基板上形成一缓冲半导体层，并在去除该暂时基板时，同时去除该缓冲半导体层。