[发明专利]一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM

权利要求书

1.一种基于标准单栅CMOS工艺的EEPROM，包括一MOS管，其特征在于所述MOS管上部覆盖有N层金属层，第N层金属层上设有一电容结构，第N层金属层覆盖所述电容结构的底部；第N层金属层包括电隔离的a区和b区，b区位于a区外围，a区与所述MOS管栅极部位对应，a区电连接到所述MOS管的栅极且与所述电容结构底部电连接，b区电连接到所述电容结构的顶部，所述电容结构的顶部引出作为EEPROM控制栅，所述MOS管的栅极作为EEPROM的浮栅，MOS管的源极、漏极和衬底分别引出作为EEPROM的源极、漏极和衬底；其中，N为自然数。

2.如权利要求1所述的EEPROM，其特征在于所述b区金属层面积大于或等于所述电容结构的底部。

3.如权利要求1所述的EEPROM，其特征在于所述电容结构包括由第N+1层到第M-1层金属层构成的叉指电容结构和一作为电容结构顶部的第M层金属层；所述叉指电容结构中每一金属层包括电隔离的A区和B区，第M-1层金属层B区向下电连接至第N+1层各金属层的B区域，第M-1层金属层A区向下电连接到第N+1层各金属层的A区域；所述b区电连接到第N+1层金属层的B区，所述a区电连接到第N+1层金属层的A区；第M层金属层与第M-1层金属层的B区电连接；第M层金属引出作为EEPROM控制栅；其中，连接到所述MOS管栅极的金属部分称为A区域，连接到上层金属层的部分称为B区域，M为自然数，且M大于N。

4.如权利要求3所述的EEPROM，其特征在于第M-1层金属层B区通过通孔向下电连接至第N+1层各金属层的B区域，第M-1层金属层A区通过通孔向下电连接到第N+1层各金属层的A区域。

5.如权利要求4所述的EEPROM，其特征在于a区通过通孔电连接到所述MOS管的栅极，所述a区通过通孔电连接到第N+1层金属层的B区，b区通过通孔电连接到第N+1层金属层的B区；第M层金属层通过通孔与第M-1层金属层的B区电连接。

6.如权利要求5所述的EEPROM，其特征在于连接B区的通孔位于B区金属边缘。

7.如权利要求6所述的EEPROM，其特征在于每一B区具有多个通孔，不同金属层B区内的通孔位置对应一致。

8.如权利要求1所述的EEPROM，其特征在于所述电容结构为层叠金属板电容。

9.如权利要求1至8任一所述的EEPROM，其特征在于所述a区与b区之间设有一沟槽，用于电隔离所述a区和b区。

10.如权利要求9所述的EEPROM，其特征在于所述沟槽为一矩形、或圆形、或八角形沟槽。