[发明专利]半导体芯片的TSV封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的TSV封装结构，所述半导体芯片(1)具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层(2)，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN(3)，其特征在于：在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口(4)使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层(5)；在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔(6)；另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道(7)，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述硅开口形成的硅层侧面和其底部的夹角为65-70度。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述硅层的厚度为100um和125um之一。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述激光打孔至少为圆形孔、半圆形孔、椭圆形孔、矩形孔、套孔之一。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述激光打孔的深度为≥3um，孔径为20um。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述硅开口可使所述芯片PIN为全部露出和部分露出之一。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：所述芯片PIN依次由晶圆氧化层(10)、金属层(11)、晶圆氧化层(10)组成。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于：在所述芯片电路层侧面上依次设有环氧树脂胶层(12)、支撑围堰层(8)和玻璃层(9)。

9.一种形成如权利要求1至8中任一项所述的半导体芯片的TSV封装结构的封装方法，其特征在于：其包括以下步骤：

①在半导体芯片的硅层上采用蚀刻方式在其对应半导体芯片上的芯片PIN处蚀刻出硅开口，并使芯片PIN裸露；

②在硅层、硅开口的表面层及芯片PIN上侧面上均镀一层钝化绝缘层；

③在上述硅开口的底部采用激光打孔方式形成若干个激光打孔；

④在上诉硅开口的底部切割形成切割道，且使被切割开的每部分芯片PIN上至少具有一个激光打孔。