[发明专利]高压交流发光二极管结构无效
申请号: | 201110395035.6 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN103137644A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 潘敬仁;郑为太;陈明鸿 | 申请(专利权)人: | 海立尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 交流 发光二极管 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种高压交流发光二极管结构,特别是涉及一种应用于照明用的高压交流发光二极管结构。
背景技术
如中国台湾新型专利第M393127号,其揭露了一种连接交流电源的交流电发光二极管装置,其主要包含四个整流元件,并且与两个指向元件连接成非对称式电桥电路结构。根据该创作的交流电发光二极管装置包含至少两个发光二极管串列区块,分别连接在非对称式电桥电路结构的分支线路上,致使该交流电发光二极管装置在交流电源的正电压半周期与负电压半周期期间全数或大多数发光二极管发光被点亮,进而提升该交流电发光二极管装置对交流电源的使用效率。
如中国台湾新型专利第M354294号,其揭露了一种交流发光装置,包括一交流-交流变压器,用以将一交流电源所提供的一第一交流电压转换成一第二交流电压;一交流发光二极管模块,包括一第一组发光二极管晶粒以及一第二组发光二极管晶粒,其中第一组发光二极管晶粒是在第二交流电压的一正周期中被导通一第一时间,而第二组发光二极管晶粒是在第二交流电压的一负周期中被导通一第二时间;以及一防护单元,耦接于交流电源与交流发光二极管模块之间,用以进行过电压或过电流保护。
以上现有习知技术,使用的发光二极管大多是以一般非晶圆级工艺制造的一般二极管,并且仅以单向或整流的电路观念加以设计,或者利用交流变压器进行电压的转换,由于交流变压器的体积大,因此这种作法会造成整体装置的体积庞大,而且电能会消耗在交流变压器上。随着市场的需要,如何制造出一个不需要交流变压器,又可以结合晶圆级工艺发光二极管的高压交流发光二极管结构实为一重要课题。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的交流发光二极管装置存在的缺陷,而提供一种新型的高压交流发光二极管结构,所要解决的技术问题是通过将晶圆级工艺的交流LED芯片结合至较低成本的电路基板,可以制作出体积小的高压交流发光二极管结构,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种高压交流发光二极管结构,其包括:一电路基板;以及多个交流LED芯片,固设且电性连接于该电路基板上并借由该电路基板使该些交流LED芯片形成一串联电路,每一该交流LED芯片包括:一绝缘基板;至少一发光二极管组,其具有一第一发光二极管及一第二发光二极管,且该第一发光二极管及该第二发光二极管是彼此绝缘分离设置于该绝缘基板上;至少一第一金属层,形成一第一形状分布,且具有一第一端部及一第二端部,该第一端部是设置于该第一发光二极管的一第一透明导电层上,而该第二端部则设置于该第二发光二极管的一第二N型层上;以及至少一第二金属层,形成该第一形状分布,且具有一第三端部及一第四端部,该第三端部是设置于该第二发光二极管的一第二透明导电层上,而该第四端部则设置于该第一发光二极管的一第一N型层上。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的高压交流发光二极管结构,其中所述的电路基板为一铝基板或一陶瓷基板。
前述的高压交流发光二极管结构,其中所述的陶瓷基板内设有多条导热柱或多条导电柱。
前述的高压交流发光二极管结构,其中任二个该交流LED芯片进一步相互并联,使该串联电路又进一步具有一并联电路。
前述的高压交流发光二极管结构,其中所述的串联电路进一步又并联至少一该串联电路。
前述的高压交流发光二极管结构,其中所述的第一发光二极管具有:该第一N型层,其设置于该绝缘基板上的一第一区域;一第一主动层,其设置于部分该第一N型层上;一第一P型层,其设置于该第一主动层上;以及该第一透明导电层,其设置于该第一P型层上,而该第二发光二极管具有:该第二N型层,其设置于该绝缘基板上的一第二区域;一第二主动层,其设置于部分该第二N型层上;一第二P型层,其设置于该第二主动层上;以及该第二透明导电层,其设置于该第二P型层上。
前述的高压交流发光二极管结构,其中所述的第一主动层及该第二主动层是形成一凹字形彼此相对,且分别使部分该第一N型层及该第二N型层外露。
前述的高压交流发光二极管结构,进一步具有一绝缘层,其设置于该第一N型层及该第二N型层的侧边。
前述的高压交流发光二极管结构,其中所述的绝缘层是延伸设置于该第一发光二极管及该第二发光二极管的侧壁。
前述的高压交流发光二极管结构,进一步具有一第一焊垫及一第二焊垫,该第一焊垫是形成于该第一端部上,而该第二焊垫则形成于该第三端部上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的