[发明专利]一种硅片取放装置有效
申请号: | 201110394813.X | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN102509716A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 王燕清 | 申请(专利权)人: | 无锡先导自动化设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅;徐永雷 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 装置 | ||
技术领域
本发明属于太阳能硅片生产技术领域,具体是涉及一种在太阳能硅片生产过程中的取放硅片的装置。
背景技术
在太阳能硅片生产过程中,硅片需要在不同的输送机构运送。现在常用的硅片取放装置大多是吸气式的。以往硅片取放装置的结构如图4所示,它主要是由凹块11、密封圈12、凸块13、接头14和传感器15构成,通过接头14进入压缩空气,压缩空气高速通过凹块11与凸块13之间的缝隙向四周排出,使凸块13正下方产生局部真空负压,从而将凸块13下方的硅片16吸住,此装置的缺点在于:由于此装置在凸块13与凹块11之间产生高速气流,高速气流排出时会吹到被吸硅片旁侧的硅片,从而改变旁侧的硅片位置,影响硅片生产过程。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种新型的硅片取放装置,其结构巧妙、合理,在吸取或放开硅片时不会影响被吸硅片旁侧的硅片位置,确保硅片生产过程顺利。
按照本发明提供的技术方案:一种硅片取放装置,其特征在于:包括吸盘、连接座、下端盖、阀体、上端盖、第一接头和第二接头;所述吸盘固定在连接座上,吸盘上开设有多个气孔,连接座内设有凹腔;所述下端盖固定在连接座上,下端盖中心设有下通气孔,下通气孔与连接座内的凹腔连通;所述阀体固定在下端盖上,阀体内设有环形进气腔,阀体中心开设有与下通气孔连通的中间通气孔,环形进气腔与中间通气孔之间通过环形壁相隔,环形壁底部与下端盖顶部之间留有进气缝隙;所述上端盖固定在阀体上,上端盖下部的中心开设有与中间通气孔连通的上通气孔,上端盖上部开设有至少两个斜排气孔,斜排气孔内端与上通气孔连通,斜排气孔外端位于上端盖侧壁上,斜排气孔的走向是由内向外、由下向上;所述第一接头连接在阀体一侧,第一接头与阀体内的环形进气腔连通;所述第二接头连接在阀体另一侧,第二接头通过第二进气通道与连接座内的凹腔连通。
作为本发明的进一步改进,所述下端盖与阀体之间装有密封圈。
作为本发明的进一步改进,所述阀体上设有与第二接头连通的阀体进气孔,所述下端盖上设有与阀体进气孔连通的下进气孔,所述下端盖底部设有与下进气孔连通的环形气槽,所述连接座顶部设有多个沿圆周方向均匀分布并与环形气槽连通的连接气孔,所述的阀体进气孔、下进气孔、环形气槽和连接气孔构成所述的第二进气通道。
作为本发明的进一步改进,所述中间通气孔的孔径小于下通气孔的孔径。
作为本发明的进一步改进,所述下通气孔的下端边沿、中间通气孔的下端边沿均设为圆弧形。
作为本发明的进一步改进,所述连接座与下端盖之间、下端盖与阀体之间、阀体与上端盖之间均设有可对应嵌合的凹凸结构。
作为本发明的进一步改进,所述至少两个斜排气孔在上端盖内沿周向均匀分布。
作为本发明的进一步改进,所述第一接头与第二接头在阀体上180度对称布置。
作为本发明的进一步改进,所述连接座上安装有负压传感器,负压传感器外接显示器。
本发明与现有技术相比,优点在于:本发明结构巧妙、合理,通过将高速气体从上端盖排出,在吸取或放开硅片时不会影响被吸硅片旁侧的硅片位置,确保硅片生产过程顺利,提高硅片生产效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的结构俯视图。
图3为本发明的结构仰视图。
图4为现有的吸取硅片装置的结构示意图。
附图标记说明: 1—吸盘、1a—气孔、2—连接座、2a—凹腔、2b—连接气孔、3—下端盖、3a—下通气孔、3b—下进气孔、3c—环形气槽、4—阀体、4a—中间通气孔、4b—环形进气腔、4c—进气缝隙、4d—阀体进气孔、4e—环形壁、5—上端盖、5a—上通气孔、5b—斜排气孔、6—密封圈、7—负压传感器、8—显示器、9—第一接头、10—第二接头、11—凹块、12—密封圈、13—凸块、14—接头、15—传感器。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图所示:本发明所述的硅片取放装置主要由吸盘1、连接座2、下端盖3、阀体4、上端盖5、密封圈6、负压传感器7、显示器8、第一接头9和第二接头10等零部件组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造