[发明专利]一种硅片取放装置有效
申请号: | 201110394813.X | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN102509716A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 王燕清 | 申请(专利权)人: | 无锡先导自动化设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅;徐永雷 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 装置 | ||
1. 一种硅片取放装置,其特征在于:包括吸盘(1)、连接座(2)、下端盖(3)、阀体(4)、上端盖(5)、第一接头(9)和第二接头(10);所述吸盘(1)固定在连接座(2)上,吸盘(1)上开设有多个气孔(1a),连接座(2)内设有凹腔(2a);所述下端盖(3)固定在连接座(2)上,下端盖(3)中心设有下通气孔(3a),下通气孔(3a)与连接座(2)内的凹腔(2a)连通;所述阀体(4)固定在下端盖(3)上,阀体(4)内设有环形进气腔(4b),阀体(4)中心开设有与下通气孔(3a)连通的中间通气孔(4a),环形进气腔(4b)与中间通气孔(4a)之间通过环形壁(4e)相隔,环形壁(4e)底部与下端盖(3)顶部之间留有进气缝隙(4c);所述上端盖(5)固定在阀体(4)上,上端盖(5)下部的中心开设有与中间通气孔(4a)连通的上通气孔(5a),上端盖(5)上部开设有至少两个斜排气孔(5b),斜排气孔(5b)内端与上通气孔(5a)连通,斜排气孔(5b)外端位于上端盖(5)侧壁上,斜排气孔(5b)的走向是由内向外、由下向上;所述第一接头(9)连接在阀体(4)一侧,第一接头(9)与阀体(4)内的环形进气腔(4b)连通;所述第二接头(10)连接在阀体(4)另一侧,第二接头(10)通过第二进气通道与连接座(2)内的凹腔(2a)连通。
2.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述下端盖(3)与阀体(4)之间装有密封圈(6)。
3.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述阀体(4)上设有与第二接头(10)连通的阀体进气孔(4d),所述下端盖(3)上设有与阀体进气孔(4d)连通的下进气孔(3b),所述下端盖(3)底部设有与下进气孔(3b)连通的环形气槽(3c),所述连接座(2)顶部设有多个沿圆周方向均匀分布并与环形气槽(3c)连通的连接气孔(2b),所述的阀体进气孔(4d)、下进气孔(3b)、环形气槽(3c)和连接气孔(2b)构成所述的第二进气通道。
4.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述中间通气孔(4a)的孔径小于下通气孔(3a)的孔径。
5.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述下通气孔(3a)的下端边沿、中间通气孔(4a)的下端边沿均设为圆弧形。
6.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述连接座(2)与下端盖(3)之间、下端盖(3)与阀体(4)之间、阀体(4)与上端盖(5)之间均设有可对应嵌合的凹凸结构。
7.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述至少两个斜排气孔(5b)在上端盖(5)内沿周向均匀分布。
8.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述第一接头(9)与第二接头(10)在阀体(4)上180度对称布置。
9.如权利要求1所述的硅片取放装置,其特征在于:所述连接座(2)上安装有负压传感器(7),负压传感器(7)外接显示器(8)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造