[发明专利]一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法及装置

权利要求书

1.一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控方法，包括：

检测进行了不同时间的预处理后的硅衬底的多个薄膜参数；

根据所述多个薄膜参数建立统计过程控制曲线；

设定预设有阈值的控制线；

如果所述统计过程控制曲线的范围在所述阈值之内，则判定所述预处理正常；如果所述统计过程控制曲线的范围超出所述阈值，则判定所述预处理不正常。

2.根据权利要求1所述的监控方法，其中所述薄膜参数为进行了预处理后的硅衬底上生长的氮化硅层的厚度。

3.根据权利要求1所述的监控方法，其中所述硅衬底进行的预处理包括：利用氨气在等离子体环境中与所述的硅衬底进行反应，以在所述的硅衬底上形成氮化硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的监控方法，其中所述低介电常数阻挡层工艺为氮掺杂碳工艺。

5.根据权利要求1所述的监控方法，其中以大于或等于30次采样的薄膜参数为基础建立统计过程控制曲线。

6.根据权利要求1所述的监控方法，其中所述阈值为±3西格玛。

7.一种低介电常数阻挡层工艺中的预处理的监控装置，包括：

检测单元，分别检测在进行了不同时间的预处理后的硅衬底的多个薄膜参数；

建模单元，根据所述检测单元检测得到的所述多个薄膜参数建立统计过程控制曲线；

设定单元，设定预设有阈值的控制线；

判定单元，如果所述统计过程控制曲线在所述阈值之内，则判定所述预处理正常；如果所述统计过程控制曲线超出所述阈值，则判定所述预处理不正常。

8.根据权利要求7所述的监控装置，其中所述薄膜参数为进行了预处理后的所述多个硅衬底上生长的氮化硅层的厚度。

9.根据权利要求7所述的监控装置，其中以大于等于30次采样的薄膜参数为基础建立统计过程控制曲线。

10.根据权利要求7所述的监控装置，其中所述阈值为±3西格玛。