[发明专利]一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

现有的液晶显示装置一般包括：TFT(薄膜晶体管)阵列基板、液晶层和CF(彩色滤光膜)阵列基板。其中，在TFT阵列基板结构中，为了实现基板的平坦化及提高基板的透过率，一般采用有机绝缘膜作为钝化层，之后在所述钝化层上形成像素电极。

常见的像素电极有p-ITO(多晶氧化铟锡)和a-ITO(非晶氧化铟锡)，其中，前者是在高温条件下形成，后者通常在常温条件下形成。当所述像素电极为p-ITO时，所述p-ITO与有机绝缘膜之间的表面接触特性较差，从而使得后续刻蚀工艺(通过刻蚀工艺后方形成像素电极)较难控制，刻蚀条件以及药液的选择均较难，最终容易出现过刻现象或刻蚀不足而残留多晶氧化铟锡的现象。当所述像素电极为a-ITO时，一般采用草酸做为刻蚀药液，刻蚀工艺容易控制，但是，由于a-ITO在常温条件下形成，因此所形成的a-ITO相对较疏松，成膜缺陷较多，其内较容易侵入水分和空气，从而使得a-ITO所覆盖的端子易被腐蚀。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，以解决多晶氧化铟锡与有机绝缘膜之间表面接触特性差，进而导致刻蚀工艺难以控制的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：

玻璃基板；

依次位于所述玻璃基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层；

位于所述欧姆接触层上的源极和漏极；

位于所述源极和漏极上的有机绝缘膜；

位于所述有机绝缘层上的上无机绝缘膜；

位于所述上无机绝缘膜上的p-ITO像素电极，所述p-ITO像素电极通过所述上无机绝缘膜及有机绝缘膜内的通孔与所述漏极相连。

优选的，上述薄膜晶体管阵列基板还包括：

位于所述源极和漏极上的下无机绝缘膜；

且所述有机绝缘膜位于所述下无机绝缘膜之上，所述p-ITO像素电极通过所述上无机绝缘膜、有机绝缘膜及下无机绝缘膜内的通孔与所述漏极相连。

优选的，上述薄膜晶体管阵列基板中，所述有机绝缘膜包括光敏有机绝缘膜或非光敏有机绝缘膜。

优选的，上述薄膜晶体管阵列基板中，所述上无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

优选的，上述薄膜晶体管阵列基板中，所述上无机绝缘膜和下无机绝缘膜的厚度均为

本发明还提供了一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该方法包括：

提供玻璃基板；

在所述玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上形成源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成有机绝缘膜；

在所述有机绝缘膜上形成上无机绝缘膜；

在所述上无机绝缘膜和有机绝缘膜内形成与漏极相连的通孔；

在所述上无机绝缘膜上形成p-ITO像素电极，所述p-ITO像素电极覆盖所述通孔的底部及侧壁。

优选的，上述方法中，在所述欧姆接触层上形成源极和漏极之后，在所述源极和漏极上形成有机绝缘膜之前，还包括：

在所述源极和漏极上形成下无机绝缘膜；

且所述通孔贯穿所述下无机绝缘膜。

优选的，上述方法中，所述上无机绝缘膜采用化学气相沉积工艺制成，且工艺温度为220℃～250℃。

优选的，上述方法中，所述上无机绝缘膜、有机绝缘膜和下无机绝缘膜内的通孔的孔径均相等；或者，所述有机绝缘膜和下无机绝缘膜内的通孔的孔径相等，所述上无机绝缘膜内的通孔的孔径小于所述有机绝缘膜内的通孔的孔径。

优选的，上述方法中，所述上无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；所述下无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。