[发明专利]一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

玻璃基板；

依次位于所述玻璃基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层；

位于所述欧姆接触层上的源极和漏极；

位于所述源极和漏极上的有机绝缘膜；

位于所述有机绝缘层上的上无机绝缘膜；

位于所述上无机绝缘膜上的p-ITO像素电极，所述p-ITO像素电极通过所述上无机绝缘膜及有机绝缘膜内的通孔与所述漏极相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述源极和漏极上的下无机绝缘膜；

且所述有机绝缘膜位于所述下无机绝缘膜之上，所述p-ITO像素电极通过所述上无机绝缘膜、有机绝缘膜及下无机绝缘膜内的通孔与所述漏极相连。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘膜包括光敏有机绝缘膜或非光敏有机绝缘膜。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

所述上无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；

所述下无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述上无机绝缘膜和下无机绝缘膜的厚度均为

6.一种用于显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供玻璃基板；

在所述玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层；

在所述欧姆接触层上形成源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成有机绝缘膜；

在所述有机绝缘膜上形成上无机绝缘膜；

在所述上无机绝缘膜和有机绝缘膜内形成与漏极相连的通孔；

在所述上无机绝缘膜上形成p-ITO像素电极，所述p-ITO像素电极覆盖所述通孔的底部及侧壁。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述欧姆接触层上形成源极和漏极之后，在所述源极和漏极上形成有机绝缘膜之前，还包括：

在所述源极和漏极上形成下无机绝缘膜；

且所述通孔贯穿所述下无机绝缘膜。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述上无机绝缘膜采用化学气相沉积工艺制成，且工艺温度为220℃～250℃。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述上无机绝缘膜、有机绝缘膜和下无机绝缘膜内的通孔的孔径均相等；

或者，所述有机绝缘膜和下无机绝缘膜内的通孔的孔径相等，所述上无机绝缘膜内的通孔的孔径小于所述有机绝缘膜内的通孔的孔径。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述上无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅；

所述下无机绝缘膜包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。