[发明专利]一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺无效
| 申请号： | 201110390840.X | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102437239A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;刘超;梁齐兵 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 铝背结 太阳电池 制作 工艺 | ||
1.一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其步骤是：
(1)选用n型单晶硅片并对n型单晶硅片制绒；
(2)在单晶硅片前后表面制备n+层；
(3)制备双面SiNx减反射薄膜；
(4)通过激光开槽选择性刻去背面SiNx和n+层并去除激光工艺带来的机械损伤；
(5)制备银电极、铝电极及银铝焊接点；
(6)通过烧结形成铝背结和欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其特征在于：
上述步骤(2)中在单晶硅片前后表面制备n+层具体是：将制绒后的硅片放入管式扩散炉中，进行双面磷扩散，磷源为三氯氧磷，扩散温度约为800-900℃，并通过二次清洗去除扩散工艺中产生的磷硅玻璃。
3.根据权利要求1所述的全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其特征在于：
上述步骤(3)中制备SiNx减反射薄膜是通过PECVD或磁控溅射制备SiNx减反射薄膜。
4.根据权利要求3所述的全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其特征在于：将制绒后的硅片在PECVD或磁控溅射中进行双面镀氮化硅，氮化硅的厚度约为60-75nm。
5.根据权利要求1所述的全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其特征在于：上述步骤(5)中用丝网印刷在硅片背面激光刻去氮化硅和n+层的位置印刷银铝焊接点和铝电极，在无激光刻去的地方印刷银电极。
6.根据权利要求1所述的全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其特征在于：
上述步骤(6)在烧结炉中进行烧结，烧结温度为890±2℃，形成铝背结和欧姆接触，以完成电池的制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
