[发明专利]干法刻蚀第一金属层的方法无效
| 申请号： | 201110388943.2 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102403269A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;黄君;李程 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 第一 金属 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法刻蚀第一金属层的方法，该方法包括：
提供一半导体基底；
在半导体基底上依次沉积刻蚀阻挡层、介电层、介电保护层，金属硬掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；
对光刻胶层进行图案化处理，形成图案化的光刻胶层；
以图案化的光刻胶层为掩膜，对底部抗反射层和金属硬掩膜层进行刻蚀，形成进行主刻蚀的刻蚀窗口；
对所述刻蚀窗口内的介电保护层和介电层进行干法刻蚀，所述干法刻蚀采用C5F8、Ar和O2作为刻蚀气体，所述C5F8、Ar和O2的流量比为2.2∶50∶1～3∶50∶1，以使刻蚀停止在刻蚀阻挡层；
对刻蚀阻挡层进行过刻蚀工艺，去除刻蚀阻挡层，形成第一层铜金属层沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述C5F8的流量为15sccm～21sccm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ar的流量为300sccm～350sccm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述O2的流量为5sccm～7sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对介电保护层和介电层进行干法刻蚀的时间为90～95s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对介电保护层和介电层的干法刻蚀在刻蚀反应腔内进行，所述刻蚀反应腔内的压力为90mt～100mt。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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