[发明专利]一种双镶嵌结构的形成方法有效
| 申请号： | 201110386916.1 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102427060A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：其具有以下步骤：
1）提供一表面具有导电结构的半导体衬底，在衬底上形成层间介质层；
2）在所述的层间介质层上依次形成氮化硅层、非晶硅层、底部抗反射层、第一光刻胶层、低温阻隔层和第二光刻胶层；
3）对所述的第二光刻胶层进行沟槽的图形化；
4）湿法刻蚀沟槽下的低温阻隔层；
5）对所述的第一光刻胶层进行通孔的图形化；
6）以所述的非晶硅层和氮化硅层为硬掩膜图形化层间介质层，形成沟槽和通孔；
7）在所述的沟槽和通孔中填充阻挡层材料和导电材料；
8）对所述的阻挡层材料和导电材料进行平坦化处理，形成双镶嵌结构。
2.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述的第一光刻胶层为负性光刻胶或正性光刻胶。
3.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述的第二光刻胶层为负性光刻胶或正性光刻胶。
4.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述的低温阻隔层为低温热氧化硅。
5.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述的低温阻隔层厚度为1000~8000埃。
6.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述的低温阻隔层形成所需的最高温度不高于光刻中烘焙的温度。
7.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所述的氮化硅层材质为氮化硅或碳化硅。
8.如权利要求1所述的一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：在所述的沟槽和通孔中填充的阻挡层材料和导电材料为铜（Cu）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
