[发明专利]一种MOS型高压集成电路及制作方法

权利要求书

1.一种MOS型高压集成电路，其特征在于，包括：

设置在衬底上的高压PMOS和高压NMOS，其中，高压PMOS的沟道长度等于设置在该高压PMOS上的多晶硅栅与N阱有源区的叠加宽度，高压NMOS的沟道长度等于设置在该高压NMOS上的多晶硅栅的宽度；

在高压NMOS漏极结构中的第一重掺杂漏区N+的侧壁被轻掺杂漏区NLDD包围，所述第一重掺杂漏区N+的侧壁与侧墙边缘和场氧化层边缘间隔第一设定距离；

在高压PMOS的漏极结构中第二重掺杂漏区P+的侧壁被P场掺杂区PF包围，所述第二重掺杂漏区P+的侧壁与多晶硅栅边缘间隔第二设定距离。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，在高压PMOS的漏极结构中，多晶硅栅的一部分延伸至场氧化层上方。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，NLDD的掺杂浓度与第一重掺杂漏区N+浓度的比值小于第一阈值；P场掺杂区PF的掺杂浓度与第二重掺杂漏区P+的浓度的比值小于第二阈值。

4.一种MOS型高压集成电路的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上制作N阱和P阱，并按照MOS型高压集成电路规则在N阱和P阱表面的设定区域覆盖场氧化层，形成场区和有源区；

在N阱和P阱的设定区域中注入硼离子形成P场掺杂区PF；

在所述有源区表面生成栅氧化层；

在N阱栅氧化层和场氧化层的表面形成第一多晶硅栅，在P阱栅氧化层表面形成第二多晶硅栅；

在第二多晶硅栅两侧的P阱中制作N型轻掺杂漏区NLDD；

在第一多晶硅栅和第二多晶硅栅的两侧制作侧墙；

在P阱和N阱中进行光刻、离子注入和退火形成N型重掺杂源漏区N+和P型重掺杂源漏区P+。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，第一多晶硅栅的设定长度延伸至场氧化层Fox上方。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述设定长度为0.5～1.5微米中的任一值。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述P场掺杂区PF的设定区域包括：

高压PMOS的源极与漏极之间的场氧化层下方，高压PMOS漏极侧面的场氧化层下方，高压NMOS区域中所有场氧化层的下方。