[发明专利]用于提高CdSe量子点敏化的太阳能电池的转换效率的方法

权利要求书

1.在衬底上制备CdSe量子点敏化剂的方法，其包括：

在衬底电极上形成TiO₂层；

通过化学沉积方法在所述TiO₂层上形成量子点；其包括在足以在所述TiC₂层上形成CdSe量子点的温度，将该TiO₂涂覆的层暴露于硒源和与Cd络合的金属络合剂的溶液足以在所述TiO₂层上形成CdSe量子点的时间。

2.根据权利要求1的方法，其中所述衬底是玻璃或透明柔性聚合物，并且所述衬底电极包括氟掺杂的二氧化锡、锡掺杂的氧化铟或铝掺杂的氧化锌。

3.根据权利要求1或2的方法，其中所述柔性衬底是用锡掺杂的氧化铟涂覆的聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET-ITO)或用锡掺杂的氧化铟涂覆的聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN-ITO)。

4.根据权利要求1的方法，其中所述TiO₂层是从具有酸添加剂的TiO₂浆糊形成的图案化的层。

5.根据权利要求1的方法，其中在包括氨基三乙酸钾[N(CH₂COOK)₃，NTA]和Cd²⁺的化学沉积溶液中执行所述化学沉积。

6.根据权利要求5的方法，其中NTA对Cd²⁺的比率在1和2之间。

7.根据权利要求1的方法，其中在所述化学沉积溶液中的硒源包括硒代硫酸钠。

8.根据权利要求1的方法，其中用于形成CdSe量子点的温度在5℃和50℃之间，并且其中用于形成CdSe量子点的时间在100和280分钟之间。

9.器件，其包括：

在衬底电极上的TiO₂层；

在所述TiO₂层上的量子点，其已经通过在足以在所述TiO₂层上形成CdSe量子点的温度，将TiO₂涂覆的层暴露于硒源和与Cd络合的金属络合剂的溶液足以在所述TiO₂层上形成CdSe量子点的时间而化学沉积。

10.根据权利要求9的器件，其中所述量子点已经通过将TiO₂涂覆的层暴露于与镉络合的含有氨基三乙酸钾的金属络合剂的溶液而化学沉积。

11.根据权利要求9或10的器件，进一步包括反电极和电解液。

12.根据权利要求11的器件，其中所述反电极是柔性且透明的。