[发明专利]透光单银低辐射镀膜玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种透光单银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板和镀在玻璃基板上的镀膜膜层，其特征在于：

以玻璃基板为基础，所述镀膜膜层自内向外依次包括第一电介质层、第二电介质层、银层、第三电介质层、第四电介质层及第五电介质层；

其中，第三电介质层为AZO层。

2.根据权利要求1所述的一种透光单银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：

第一电介质层为NbOx层；

第二电介质层为ZnAlOx层；

银层的材料为Ag；

第四电介质层为ZnSnO₃层；

第五电介质层为Si₃N₄层。

3.一种透光单银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，其玻璃基板上的镀膜膜层采用真空磁控溅射镀膜，包括以下步骤：

步骤一、清洗、干燥玻璃基板；

步骤二、进行预真空过渡；

步骤三、在玻璃基板上依次镀制第一电介质层、第二电介质层、银层、第三电介质层、第四电介质层、第五电介质层；

所述第三电介质层通过旋转交流阴极的AZO靶在纯氩或氧、氩氛围中溅射镀膜。

4.按权利要求3所述的一种透光单银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征 在于：

所述第一电介质层通过旋转交流阴极的陶瓷氧化铌靶在氧、氩氛围中溅射镀膜；

所述第二电介质层通过旋转交流阴极的锌铝合金靶在氧、氩氛围中溅射镀膜，其中质量比Zn∶Al＝98∶2；

所述银层通过直流平面阴极的银靶在氩气氛围中溅射镀膜；

所述第四电介质层通过旋转交流阴极的锌锡靶在氧、氩氛围中溅射镀膜，其中质量比Zn∶Sn＝50∶50；

所述第五电介质层通过旋转交流阴极的硅铝靶在氮、氩氛围中溅射，其中质量比Si∶Al＝92∶8。

5.按权利要求4所述的一种透光单银低辐射镀膜玻璃的制造方法，其特征在于，各膜层在镀制过程中，其工艺气体成分为：

镀膜第一电介质层，氧气与氩气的体积比为1∶10；

镀膜第二电解质层，氧气与氩气的体积比为9∶14；

镀膜第三电解质层，氧气与氩气的体积比为9∶100；

镀膜第四电解质层，氧气与氩气的体积比为3∶2；

镀膜第五电解质层，氮气与氩气的体积比为2∶1。