[发明专利]通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路

权利要求书

1.一种通孔刻蚀方法，其特征在于包括：

二氧化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层二氧化硅薄膜；

第一氮化硅薄膜沉积步骤，用于在沉积了所述二氧化硅薄膜之后沉积一层第一氮化硅薄膜；

第一氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀停止层刻蚀PMOS器件区域的第一氮化硅薄膜；

碳化硅薄膜沉积步骤，用于沉积碳化硅薄膜；

第二氮化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层第二氮化硅薄膜；

第二氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用干刻的方法去除NMOS器件区域的第二氮化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于进一步包括：

第一刻蚀步骤，用于利用二氧化硅/氮化硅选择比进行刻蚀，以使得NMOS器件区域的通孔停在所述碳化硅薄膜之上，位于NMOS器件和PMOS器件的交叠区域的通孔停在第二氮化硅薄膜之上，位于PMOS器件区域的通孔停在第二氮化硅薄膜之上。

3.根据权利要求2所述的通孔刻蚀方法，其特征在于进一步包括：

第二刻蚀步骤，用于利用氮化硅/碳化硅选择比进行刻蚀，以使得位于NMOS器件区域的通孔仍然停在碳化硅薄膜之上，位于NMOS器件和PMOS器件的交叠区域的通孔刻穿第二氮化硅薄膜并停在碳化硅薄膜之上，位于PMOS器件区域的通孔刻穿第二氮化硅薄膜并停在碳化硅保护薄膜之上。

4.根据权利要求3所述的通孔刻蚀方法，其特征在于进一步包括：

第三刻蚀步骤，用于利用碳化硅/二氧化硅选择比进行刻蚀，以刻穿通孔位置处的碳化硅保护薄膜，使得位于NMOS器件区域的通孔停在第一氮化硅薄膜之上，位于NMOS器件和PMOS器件的交叠区域的通孔停在第一氮化硅薄膜，位于PMOS器件区域的通孔会停在二氧化硅薄膜之上。

5.根据权利要求4所述的通孔刻蚀方法，其特征在于进一步包括：

第四刻蚀步骤，用于利用氮化硅/二氧化硅选择比进行刻蚀，以使得位于NMOS器件区域的通孔刻穿第一氮化硅薄膜并停在二氧化硅薄膜之上，位于NMOS器件和PMOS器件的交叠区域的通孔刻穿第一氮化硅薄膜并停在二氧化硅薄膜之上，位于PMOS器件区域的通孔仍然停在二氧化硅薄膜之上。

6.根据权利要求5所述的通孔刻蚀方法，其特征在于进一步包括：

第五刻蚀步骤，用于利用二氧化硅/硅选择比进行刻蚀，以刻穿所有通孔位置处的二氧化硅薄膜，使得所有通孔停在多晶硅栅或有源区硅之上，完成通孔刻蚀。

7.根据权利要求1至6之一所述的通孔刻蚀方法，其特征在于所述通孔刻蚀方法用于45nm以下双重通孔刻蚀工艺。

8.一种集成电路制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至7之一所述的通孔刻蚀方法。

9.一种采用根据权利要求8所述的集成电路制造方法制成的集成电路。