[发明专利]半导体存储器件和半导体存储器件的驱动方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

写位线；

写字线；

读位线；

读字线；

存储单元；以及

反相放大器电路，配置成向所述写位线提供所述读位线的经反相和放大的电位，

其中所述存储单元包括写晶体管、读晶体管、以及包括第一电极和第二电极的电容器，

其中所述写晶体管的源极、所述读晶体管的栅极和所述电容器的第一电极彼此连接，

其中所述写晶体管的漏极连接至所述写位线，

其中所述写晶体管的栅极连接至所述写字线，

其中所述读晶体管的漏极连接至所述读位线，以及

其中所述电容器的第二电极连接至所述读字线。

2.一种半导体存储器件，包括：

第一位线和第二位线；

第一字线和第二字线；

第一存储单元和第二存储单元；以及

反相放大器电路，配置成向所述第一位线提供所述第二位线的经反相和放大的电位，或者向所述第二位线提供所述第一位线的经反相和放大的电位，

其中所述第一存储单元和所述第二存储单元各自包括写晶体管、读晶体管、以及包括第一电极和第二电极的电容器，

其中所述第一存储单元的写晶体管的源极、所述第一存储单元的读晶体管的栅极以及所述第一存储单元的电容器的第一电极彼此连接，

其中所述第二存储单元的写晶体管的源极、所述第二存储单元的读晶体管的栅极以及所述第二存储单元的电容器的第一电极彼此连接，

其中所述第一存储单元的写晶体管的漏极连接至所述第一位线，

其中所述第二存储单元的写晶体管的漏极连接至所述第二位线，

其中所述第一存储单元的写晶体管的栅极连接至所述第二字线，

其中所述第二存储单元的写晶体管的栅极连接至所述第一字线，

其中所述第一存储单元的读晶体管的漏极连接至所述第二位线，

其中所述第二存储单元的读晶体管的漏极连接至所述第一位线，

其中所述第一存储单元的电容器的第二电极连接至所述第一字线，以及

其中所述第二存储单元的电容器的第二电极连接至所述第二字线。

3.如权利要求1或2所述的半导体存储器件，其特征在于，

所述写晶体管和所述读晶体管设置在不同的层中。

4.如权利要求1或2所述的半导体存储器件，其特征在于，

所述写晶体管中所使用的半导体的类型与所述读晶体管中所使用的半导体的类型彼此不同。

5.如权利要求1或2所述的半导体存储器件，其特征在于，

所述反相放大器电路是触发器电路。

6.如权利要求1或2所述的半导体存储器件，其特征在于，

所述反相放大器电路是反相器。

7.一种如权利要求1所述的半导体存储器件的驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

将所述写晶体管的漏极和所述读晶体管的漏极预充电至不同电位；

改变连接至所述电容器的第二电极的布线的电位；以及

用所述反相放大器电路将其相位与所述读晶体管的漏极的电位的相位相反的电位输出至所述写晶体管的漏极。

8.一种如权利要求2所述的半导体存储器件的驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

将所述第一位线与所述第二位线预充电至不同电位；

改变所述第一字线的电位；以及

用所述反相放大器电路将其相位与所述第二位线的电位的相位相反的电位输出至所述第一位线。