[发明专利]恒流电路以及基准电压电路有效

专利信息
申请号: 201110379099.7 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102478877A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 小林裕二;井村多加志;杉浦正一;五十岚敦史 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 流电 以及 基准 电压 电路
【权利要求书】:

1.一种恒流电路,其具有:

恒流生成电路,其具有NMOS晶体管和电阻;

电流镜电路,其由一对耗尽型NMOS晶体管构成,这一对耗尽型NMOS晶体管流过上述恒流生成电路的电流,并且彼此的栅极端子相互连接;以及

反馈电路,其将上述一对耗尽型NMOS晶体管的源极端子的电压保持为恒定。

2.根据权利要求1所述的恒流电路,其特征在于,

上述反馈电路是如下这样的差动放大电路:输入端子与上述一对耗尽型NMOS晶体管的源极端子连接,输出端子与上述一对耗尽型NMOS晶体管的栅极端子连接。

3.根据权利要求2所述的恒流电路,其中,

上述恒流生成电路具备:

第1NMOS晶体管,该第1NMOS晶体管的漏极端子与上述差动放大电路的反相输入端子连接,该第1NMOS晶体管的源极端子经由电阻与接地端子连接;以及

第2NMOS晶体管,该第2NMOS晶体管的栅极端子及漏极端子与上述差动放大电路的同相输入端子及上述第1NMOS晶体管的栅极端子连接,该第2NMOS晶体管的源极端子与接地端子连接。

4.根据权利要求2所述的恒流电路,其中,

上述恒流生成电路具备:

第1NMOS晶体管,该第1NMOS晶体管的漏极端子与上述差动放大电路的反相输入端子连接,该第1NMOS晶体管的源极端子与接地端子连接;

第2NMOS晶体管,该第2NMOS晶体管的栅极端子与上述差动放大电路的同相输入端子连接,该第2NMOS晶体管的漏极端子与上述第1NMOS晶体管的栅极端子连接;以及

电阻,其一个端子与上述第2NMOS晶体管的漏极端子连接,另一个端子与上述差动放大电路的同相输入端子连接。

5.一种基准电压电路,其具备:

权利要求1至4中任意一项所述的恒流电路;以及

设置在上述恒流电路的输出端子处的电压产生电路。

6.根据权利要求5所述的基准电压电路,其特征在于,

上述电压产生电路具有串联连接的PMOS晶体管、电阻以及二极管,

上述电压产生电路的电阻与上述恒流生成电路的电阻的温度系数相等。

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