[发明专利]用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种光纤产品，尤其是涉及一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列及其制造方法。

【背景技术】

传统的光纤阵列一般是由包括型槽(通常是用V型槽或U型槽)基片、玻璃压盖基片以及位于它们之间的光纤带，通过粘合剂粘结构成的，配合精密研磨工艺制作的一种用于传输激光能量的光纤组件，光纤阵列的型槽基片通常采用石英玻璃、硼硅玻璃或硅材料。

当光纤阵列与并行发射激光器阵列VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)芯片或者光电探测器(PD)芯片直接耦合时，光纤阵列的每一条纤芯与并行发射激光阵列芯片每一象元或者阵列探测器PIN(或GaAs)芯片每一象元一对一对准。为了提高耦合效率，一般要对光纤阵列端面进行研磨抛光成一定角度，常见的研磨角度有：45°，这种研磨都是针对光纤阵列的端面进行整体研磨，光纤是没有突出端面的，也就是说在光纤阵列的端面是由型槽基片、玻璃压盖和光纤端面构成一个完整平面。此时的光纤的轴方向与激光器阵列发射光方向或探测器接收光的方向是成90度的，利用45°反射角将激光器阵列VCSEL芯片发出的激光反射耦合进入光纤或将光纤传输光束偏转90°照射到阵列探测器感光面上，但因光纤与型槽基片、玻璃压盖构成一个完整45°平面，并且光纤夹于型槽基片、玻璃压盖之间，上下两侧的型槽基片、玻璃压盖会对发射的激光束或接收的激光束形成一个阻档，从而影响耦合效率和使用方便性。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种耦合效率较高的用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列及其制备方法。

一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列，包括型槽基片、压盖基片以及夹于所述型槽基片和所述压盖基片之间的光纤带，所述光纤带的端部突出于所述型槽基片端面和所述压盖基片端面共同定义的平面，且所述光纤带的端面为倾角为45°的光学平面。

在优选的实施例中，所述型槽基片、所述压盖基片及所述光纤带之间通过第二粘结剂固定。

一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列，包括MT连接器插芯以及位于所述MT连接器插芯中心的光纤带，所述光纤带的端部突出于所述MT连接器插芯的端面，且所述光纤带的端面为倾角为45°的光学平面。

一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，包括如下步骤：

步骤一、将前端去除了涂覆层的光纤带放置在预成型型槽基片的型槽中，并将预成型盖板基片放置在所述光纤带上，再在所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带之间加入第一粘结剂，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带固定形成一个预成型构件；

步骤二、将步骤一的预成型构件进行研磨，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带的端部共同形成倾角为45°的斜面；

步骤三、将步骤二的预成型构件进行热处理，使所述第一粘结剂失去黏性，然后将所述光纤带从所述预成型型槽基片和所述预成型压盖基片中取出；及

步骤四、将步骤三的光纤带放置在型槽基片的型槽中，并将盖板基片放置在所述光纤带上，并使所述光纤带的端部突出于所述型槽基片端面和所述压盖基片端面共同定义的平面，再在所述型槽基片、所压盖基片及所述光纤带之间加入第二粘结剂，使所述型槽基片、所述压盖基片及所述光纤带固定形成用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列。

在优选的实施例中，步骤三中，所述第一粘结剂为正构烷烃的混合物。

在优选的实施例中，步骤四中，所述第二粘结剂为环氧树脂。

在优选的实施例中，步骤三中，所述热处理的温度为80～120℃。

一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，包括如下步骤：

步骤一、将前端去除涂覆层的光纤带放置在预成型型槽基片的型槽中，并将预成型盖板基片放置在所述光纤带上，再在所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带之间加入第一粘结剂，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带固定形成一个预成型构件；

步骤二、将步骤一的预成型构件进行研磨，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带的端部共同形成倾角为45°的斜面；

步骤三、将步骤二的预成型构件进行热处理，使所述第一粘结剂失去黏性，然后将所述光纤带从所述预成型型槽基片和所述预成型压盖基片中取出；及