[发明专利]用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列，包括型槽基片、压盖基片以及夹于所述型槽基片和所述压盖基片之间的光纤带，其特征在于，所述光纤带的端部突出于所述型槽基片端面和所述压盖基片端面共同定义的平面，且所述光纤带的端面为倾角为45°的光学平面。

2.根据权利要求1所述的用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列，其特征在于：所述型槽基片、所述压盖基片及所述光纤带之间通过第二粘结剂固定。

3.一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列，包括MT连接器插芯以及位于所述MT连接器插芯中心的光纤带，其特征在于，所述光纤带的端部突出于所述MT连接器插芯的端面，且所述光纤带的端面为倾角为45°的光学平面。

4.一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、将前端去除了涂覆层的光纤带放置在预成型型槽基片的型槽中，并将预成型盖板基片放置在所述光纤带上，再在所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带之间加入第一粘结剂，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带固定形成一个预成型构件；

步骤二、将步骤一的预成型构件进行研磨，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带的端部共同形成倾角为45°的斜面；

步骤三、将步骤二的预成型构件进行热处理，使所述第一粘结剂失去黏性，然后将所述光纤带从所述预成型型槽基片和所述预成型压盖基片中取出；及

步骤四、将步骤三的光纤带放置在型槽基片的型槽中，并将盖板基片放置在所述光纤带上，并使所述光纤带的端部突出于所述型槽基片端面和所述压盖基片端面共同定义的平面，再在所述型槽基片、所压盖基片及所述光纤带之间加入第二粘结剂，使所述型槽基片、所述压盖基片及所述光纤带固定形成用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列。

5.根据权利要求4所述的用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，其特征在于：步骤三中，所述第一粘结剂为正构烷烃的混合物。

6.根据权利要求4所述的用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，其特征在于：步骤四中，所述第二粘结剂为环氧树脂。

7.根据权利要求4所述的用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，其特征在于：步骤三中，所述热处理的温度为80～120℃。

8.一种用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、将前端去除涂覆层的光纤带放置在预成型型槽基片的型槽中，并将预成型盖板基片放置在所述光纤带上，再在所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带之间加入第一粘结剂，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带固定形成一个预成型构件；

步骤二、将步骤一的预成型构件进行研磨，使所述预成型型槽基片、所述预成型压盖基片及所述光纤带的端部共同形成倾角为45°的斜面；

步骤三、将步骤二的预成型构件进行热处理，使所述第一粘结剂失去黏性，然后将所述光纤带从所述预成型型槽基片和所述预成型压盖基片中取出；及

步骤四、将步骤三的光纤带放置在MT连接器插芯的插孔中，且使所述光纤带的端部突出于所述MT连接器插芯的端面，再在所述MT连接器插芯及所述光纤带之间加入第三粘结剂，使所述型槽基片、所述压盖基片及所述光纤带固定形成用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列。

9.根据权利要求8所述的用于与阵列VCSEL或PD芯片直接耦合的光纤阵列的制造方法，其特征在于：所述第三粘结剂为热固型环氧树脂。