[发明专利]半导体发光元件测量装置

说明书

技术领域

本发明涉及测量半导体发光元件的光学特性的半导体发光元件测量装置。

背景技术

以往，由于发光二极管(LED)作为光源，与作为光源使用的荧光灯或白炽灯等相比，省电且寿命长，因此备受瞩目，不仅作为照明用的光源，在照明开关、背光源、灯饰光源、娱乐设备的装饰等广大领域使用。

这样的发光二极管所用的LED芯片(半导体发光元件)的光学特性或电特性可利用发光元件测量装置来测量。例如公开有具有如下检测测量机构的光学特性测量装置，所述检测测量机构在台上载置LED芯片，使探针与LED芯片的电极接触，对LED芯片施加预定的电压，检测LED芯片的照射光，测量其光学特性(参见日本特开2006-30135号公报)。

发明内容

以往的光学特性测量装置能够测量LED的每个晶圆或每个LED芯片的光学特性或电特性(特性)，例如，能够得到晶圆面内的特性分布信息，但由于在制造LED芯片的阶段就唯一决定了LED芯片的特性，因此仅能够简单确认制造完毕的LED芯片的特性。另外，由于LED芯片的制造工序的各种因素，有时LED芯片的特性值不同于所希望的目标值，若测量的特性在容许范围之外，则制造的LED芯片造成浪费，存在成品率降低的问题。此外，另一方面，还希望能够根据用途等改变LED芯片的特性。

本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的在于提供一种能够改变半导体发光元件的特性的半导体发光元件测量装置。

本发明的半导体发光元件测量装置，包括通过检测来自半导体发光元件的光来测量光学特性的测量部，其特制在于，包括用于将所述半导体发光元件的一部分表面切除的切除处理部。

本发明的半导体发光元件测量装置，包括基于所述测量部测量的光学特性来调整用所述切除处理部切除的位置的位置调整部。

本发明的半导体发光元件测量装置，包括判断所述测量部测量的光学特性与预定目标值的差分是否处于阈值内的判断部，所述位置调整部在所述判断部判断为所述差分未处于阈值内时，根据该差分调整要切除的位置，所述切除处理部根据所述位置调整部调整的位置，将所述半导体发光元件的一部分表面切除，在所述判断部判断为所述差分处于阈值内时，结束切除。

在本发明的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部将连接所述半导体发光元件的半导体发光层和电阻层的多个布线层的任一布线层切除，所述电阻层以与该半导体发光层串联连接的方式形成。

在本发明的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部切除以与所述半导体发光元件的半导体发光层串联连接的方式形成的电阻层的一部分。

在本发明的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部是照射激光的激光源。

在本发明的半导体发光元件测量装置中，所述位置调整部是调整激光的照射方向的可动镜或载置所述半导体发光元件的可动台。

在本发明的半导体发光元件测量装置中，所述切除处理部是具有切削针的切削夹具。

在本发明的半导体发光元件测量装置中，所述位置调整部是载置所述半导体发光元件的可动台。

本发明的半导体发光元件测量装置，包括用于基于所述测量部测量的光学特性而将所述半导体发光元件分类的分类部。

在本发明中，包括用于将半导体发光元件的一部分表面切除的切除处理部。半导体发光元件例如是具有p型半导体层及n型半导体层的半导体层与由n型半导体层等构成的电阻层串联连接地形成，在串联电路的两端设置焊接电极(bonding electrode)。通过用切除处理部将电阻层的一部分切除，从而能够改变电阻层的电阻值，进而调整流向半导体层的电流，还能够调整从半导体发光元件发出的光量。由此，可以改变半导体发光元件的光学特性或电特性。

在本发明中，包括基于在测量部测量的光学特性，来调整被切除处理部切除的位置的位置调整部。例如，在半导体发光元件的光量多时，通过改变切除处理部所切除的位置，能够增大电阻层的电阻值，减小流向半导体层的电流，从而降低光量。由此，能够一边测量半导体发光元件的特性一边改变特性。