[发明专利]利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法无效
申请号: | 201110367591.2 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN102516583A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 汪勇;童灵 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C08J9/28 | 分类号: | C08J9/28;C08J7/02;C08L53/00 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 郭百涛 |
地址: | 210009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 两亲嵌段 共聚物 选择性 溶胀成孔 制备 减反射膜 方法 | ||
1.一种利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法,其特征在于该方法是将聚苯乙烯和聚2-乙烯基吡啶的嵌段共聚物溶解在有机溶剂中,再旋涂于基底上,使溶剂挥发,在溶剂挥发过程中嵌段共聚物发生微相分离,再将基底浸泡溶胀剂中使聚2-乙烯基吡啶嵌段由于溶剂化作用而发生溶胀,然后再脱除溶胀剂,脱除溶胀剂后,溶胀的聚2-乙烯基吡啶嵌段分子链塌陷成孔,从而得到具有减反射效果的多孔减反射薄膜。
2.根据权利要求1所述的利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法,其特征在于包括以下具体步骤:
(1)将聚苯乙烯和聚2-乙烯基吡啶的嵌段共聚物溶解于有机溶剂中,嵌段共聚物质量分数为0.1~3.0wt%;
(2)将步骤(1)中配制的溶液以旋转速度1500~8000rpm旋转涂覆于清洁的基底上,在基底表面形成聚合物薄膜,随后在30~70℃真空干燥3~15小时使嵌段共聚物发生微相分离;
(3)将步骤(2)中涂有嵌段共聚物薄膜的基底浸泡于60℃溶胀剂中,浸泡0.1~15小时使聚2-乙烯基吡啶嵌段发生溶胀;
(4)最后将步骤(3)浸泡在溶胀剂中涂有聚合物薄膜的基底取出,脱除溶胀剂后,得到具有多孔结构的减反射膜。
3.根据权利要求1或2所述的利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法,其特征在于所述的有机溶剂为四氢呋喃或氯仿。
4.根据权利要求1或2所述的利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法,其特征在于所述的基底为玻璃基底。
5.根据权利要求1或2所述的利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法,其特征在于所述的溶胀剂为无水乙醇。
6.根据权利要求2所述的利用两亲嵌段共聚物选择性溶胀成孔制备减反射膜的方法,其特征在于所述的脱除溶胀剂方法是用去离子水清洗具有聚合物薄膜的基底,再将基底表面吹干。
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