[发明专利]一种金属化前电介质层制作方法无效
| 申请号： | 201110366759.8 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103123908A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张彬;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属化 电介质 制作方法 | ||
1.一种金属化前电介质层的制作方法，提供具有NMOS器件结构的晶片，所述晶片的器件面上沉积氧化硅层，化学机械研磨所述氧化硅层后，其特征在于，该方法还包括：
所述氧化硅层进行第一等离子体处理，形成具有张应力的金属化前电介质层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体处理是在高频下，选择氮气、臭氧、氧气和氧化二氮气体中的任意一种或几种气体的组合形成等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成等离子体的能量范围是30瓦到500瓦。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成等离子体的气体流量是100到2000标况毫升每分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次等离子体处理的轰击时间范围是1到5分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积氧化硅层采用基于四乙氧基硅烷与臭氧反应的化学气相沉积。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：
在所述第一等离子体处理之后，在所述氧化硅层上方沉积氧化硅材料的盖层，对所述氧化硅材料的盖层进行第二等离子体处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沉积氧化硅材料的盖层采用基于四乙氧基硅烷与臭氧反应的化学气相沉积。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沉积氧化硅材料的盖层的厚度范围是50到200埃。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二等离子体处理处理是在高频下，选择氮气、臭氧、氧气和氧化二氮气体中的任意一种或几种气体的组合形成等离子体；所述形成等离子体的能量范围是30瓦到500瓦；所述形成等离子体的气体流量是100到2000标况毫升每分钟；所述第二次等离子体处理的轰击时间范围是1到5分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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