[发明专利]晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法无效
| 申请号： | 201110366685.8 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102403203A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 崔鹏超;李华;李文;钱应五 | 申请（专利权）人： | 浙江正国太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 314500 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 选择性 发射极 扩散 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法，其特征在于包括如下步骤：
1)硅片放入扩散炉中，采用双面扩散，温度升高到850-950摄氏度；
2)温度稳定后，通入氮气流量10-30slm，氧气0.5-3slm，携磷源氮气2-5slm，扩散时间10-20min；
3)降低温度，温度下降为750-850摄氏度，过程中与第(2)步流量一致，扩散时间10-20min；
4)停止通携磷源氮气，并停止通氧气，温度下降为600-700摄氏度，氮气流量10-30slm，推进时间10-20min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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