[发明专利]60V高边LDNMOS结构及其制造方法

权利要求书

1.一种60V高边LDNMOS结构(200)的制造方法，包括步骤：

提供P型硅衬底(201)，在其上依次注入形成N型埋层(202)和热生长P型外延层(203)；

在所述P型外延层(203)中高能注入第一N型杂质，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱(204)，作为所述高边LDNMOS结构(200)的高压阱以及高压器件的自隔离；

依照标准CMOS工艺在所述P型外延层(203)上进行局部氧化工艺，制作器件/电路部分的多个场氧化隔离(205)；

在所述高边LDNMOS结构(200)的源区部分图形曝光，高能注入P型杂质和第二N型杂质，并经高温扩散形成P型体区(206)，作为所述高边LDNMOS结构(200)的沟道；

在所述P型体区(206)和场氧化隔离(205)之间的所述P型外延层(203)上形成栅氧化层(207)，所述栅氧化层(207)与所述P型体区(206)相连接并与所述场氧化隔离(205)邻接；

在所述高边LDNMOS结构(200)的所述栅氧化层(207)及其相邻的场氧化隔离(205)上热生长多晶硅栅并形成多晶栅极(208)，同时在所述高边LDNMOS结构(200)的漏区形成多晶栅极场板；

依照标准CMOS工艺，以所述多晶栅极(208)为对准层，在所述高边LDNMOS结构(200)的源区以及漏区依次图形曝光，分别形成源极(211)、漏极(212)和P型体区引出端(213)，所述源极(211)和P型体区引出端(213)位于所述P型体区(206)中。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述源极(211)、漏极(212)和P型体区引出端(213)之后还包括步骤：

对所述高边LDNMOS结构(200)进行快速热处理过程。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一N型杂质为磷，所述第二N型杂质为砷。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述P型杂质为硼。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层(207)的厚度为

6.一种60V高边LDNMOS结构(200)，包括：

N型埋层(202)，位于P型硅衬底(201)中，所述P型硅衬底(201)上形成有P型外延层(203)；

低浓度的高压N阱(204)，位于所述N型埋层(202)之上、所述P型外延层(203)之中，作为所述高边LDNMOS结构(200)的高压阱以及高压器件的自隔离；

多个场氧化隔离(205)，分布于所述P型外延层(203)的表面；

P型体区(206)，位于所述高压N阱(204)中，作为所述高边LDNMOS结构(200)的沟道；

栅氧化层(207)，位于所述P型体区(206)和场氧化隔离(205)之间的所述P型外延层(203)上，其与所述P型体区(206)相连接并与所述场氧化隔离(205)邻接；

多晶栅极(208)，位于所述高边LDNMOS结构(200)的所述栅氧化层(207)及其相邻的场氧化隔离(205)上；

源极(211)、漏极(212)和P型体区引出端(213)，分布在所述P型外延层(203)的表面，所述源极(211)和P型体区引出端(213)位于所述P型体区(206)中。

7.根据权利要求6所述的60V高边LDNMOS结构(200)，其特征在于，所述栅氧化层(207)的厚度为