[发明专利]一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，属于太阳能电池生产制作技术领域。

背景技术

晶体硅的磷吸杂主要是由于重扩，高浓度的磷产生位错具有捕获杂质的性能达到吸杂的目的。

对于晶体硅的吸杂有很多种方法：磷吸杂、缺陷吸杂等。传统的磷吸杂有两种：

1在扩散的同时的就进行吸杂的过程，但是由于为了保证获得合适的方阻并不能进行很大程度的重掺杂来达到很好的吸杂效果；

2、先吸杂后制作电池，具体工艺如下：（1）清洗、酸洗硅片，将硅片表面的油污及金属杂质去除，（2）高温、高浓度的磷扩散，达到杂质的效果，（3）重新清洗、制绒，将杂质层去除，并在硅片表面形成金字塔结构的绒面，（4）扩散形成晶体硅太阳能电池所需的方块电阻，（5）等离子刻蚀去除边缘的N层，（6）HF去除扩散形成的磷硅玻璃，

（7）丝网印刷形成背电极、背电场、正面电极，烧结形成良好的欧姆接触。

采用以上第一种方法是比较简单但是不能起到很好的吸杂的效果，采用第二种方法可以起到较好的吸杂效果，但是工艺相对比较复杂，另外需要进过两次高温，能耗比较大，对硅片产生一定的损伤，对电池转换效率会产生一定的影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，简化工艺，降低成本，降低能耗，提升转换效率。

本发明为解决上述技术问题而采用的及时方案是一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，包括以下步骤：

提供太阳能电池用的单晶硅片，对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；

在制绒好的硅片背面贴上一层磷脂，作为重扩散用的磷源。

将背面贴好磷脂的硅片插入石英舟，进行双面扩散；

采用链式湿法刻蚀将硅片四周的N层去除，同时也用混酸把硅片背面的重扩吸杂层去除。

采用等离子体化学气相沉积的方法在硅片表面沉积一层氮化硅钝化减反膜。

采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆。通过烧结形成良好的欧姆接触。

单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构包括如下步骤：对单晶硅片进行预清洗，采用单晶硅片清洗液进行超声清洗将硅片表面的油污清洗干净，然后将硅片放置于1.5%浓度的氢氧化钠和IPA5%浓度的80℃的制绒液中进行表面织构化工艺，在单晶硅片表面形成3-5um的金字塔状绒面结构，增加硅片的表面积，增加电池的短路电流。

贴磷脂包括步骤如下：背面贴磷脂包括步骤如下：将制绒好的硅片背面贴上一层磷脂。将贴好磷脂的硅片单片插入石英舟，在850-900℃的POCL₃和O₂的气氛中进行扩散，正面方块电阻控制在55-65 Ω，贴又磷脂的背面方块电阻控制在30-40 Ω。

将贴好磷脂的硅片单片插入石英舟，在850-900℃的POCL₃和O₂的气氛中进行扩散，正面方块电阻控制在55-65 Ω，贴有磷脂的背面方块电阻控制在30-40 Ω。

采用湿法刻蚀将硅片四周的N层去除括步骤如下：将扩散好的硅片在链式湿法刻蚀的设备上用混酸进行湿法刻蚀，将硅片四周边缘的PN结去除，同时将背面的吸杂层去除，达到吸杂的目的。

PECVD沉积氮化硅包括步骤如下：将硅片放入直接式PECVD 中450℃沉积氮化硅，氮化硅薄膜的厚度是78-85nm,折射率为2.0-2.1。

采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆。通过烧结形成良好的欧姆接触包括步骤如下：采用丝网印刷背面银电极，在200-300℃的温度下烘干，然后再丝网印刷背电场铝浆，在200-300℃的温度下烘干，接着丝网印刷正面银浆，在200-350℃下烘干，左后在500-900℃的气氛下通入CDA的气氛下进行烧结形成欧姆接触。

附图说明

图1为本发明表面绒面化示意图；

      图2为本发明硅片背面贴磷脂；

      图3为本发明扩散示意图；

      图4为本发明刻蚀示意图；

      图5为本发明丝网印刷正面版图。

具体实施方式

下面结合附图和实施对本发明作进一步的描述

本发明的具体工艺流程如下：