[发明专利]一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供太阳能电池用的单晶硅片，对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；

在硅片的背面贴上一层磷脂；

将硅片插入石英舟中，在850-900℃中进行双面重扩散，在硅片的正面形成方块电阻55-65 Ω；背面方块电阻在30-40 Ω；

采用等离子刻蚀的方法去除硅片四周的PN结，达到前后表面PN结的隔离；

采用湿法刻蚀将硅片四周的N层去除，同时也将背面形成的重掺杂区去除，达到去除杂质的目的；

采用等离子体化学气相沉积的方法在硅片表面沉积一层氮化硅钝化减反膜；

采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆；

通过烧结形成良好的欧姆接触。

2.如权利要求1所述一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构包括如下步骤：对单晶硅片进行预清洗，采用单晶硅片清洗液进行超声清洗将硅片表面的油污清洗干净，然后将硅片放置于1.5%的氢氧化钠和IPA5%的80℃的混合制绒液中进行表面织构化工艺，在单晶硅片表面形成3-5ｕm的金字塔状绒面结构，增加硅片的表面积，增加电池的短路电流。

3.如权利要求1所述一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，背面贴磷脂包括步骤如下：将制绒好的硅片背面贴上一层磷脂，将贴好磷脂的硅片单片插入石英舟，在850-900℃的POCL3和O2的气氛中进行扩散，正面方块电阻控制在55-65 Ω，贴又磷脂的背面方块电阻控制在30-40 Ω。

4.如权利要求1所述一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀将硅片四周的N层去除括步骤如下：将扩散好的硅片在链式湿法刻蚀的设备上进行湿法刻蚀，将硅片四周边缘的PN结去除，同时将背面的吸杂层去除，达到吸杂的目的。

5.如权利要求1所述的一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，所述采用等离子体化学气相沉积的方法在硅片表面沉积一层氮化硅钝化减反膜包括步骤如下：在硅烷和氨气的气氛中采用等离子体辉光放电的方式在400-450℃温度下进行沉积氮化硅钝化减反膜，氮化硅薄膜的厚度是78-85nm,折射率为2.0-2.1。

6.如权利要求1所述的一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆；通过烧结形成良好的欧姆接触包括步骤如下：采用丝网印刷背面银电极，在200-300℃的温度下烘干，然后再丝网印刷背电场铝浆，在200-300℃的温度下烘干，接着丝网印刷正面银浆，在200-350℃下烘干，左后在500-900℃的气氛下通入CDA的气氛下进行烧结形成欧姆接触。