[发明专利]镀膜件及其制造方法

权利要求书

1.一种镀膜件，包括基体及形成于基体表面的阳极氧化膜，其特征在于：所述镀膜件还包括依次形成于该阳极氧化膜表面的真空镀膜层，所述阳极氧化膜表面呈不连续状，所述真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述阳极氧化膜表面形成有氯化铝。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述真空镀膜层的厚度为1~1.8μm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述真空镀膜层为无色透明状。

5.一种镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：

提供基体；

通过阳极氧化处理的方式，在该基体的表面形成阳极氧化膜；

对所述阳极氧化膜表面进行盐酸水溶液擦拭处理，使所述阳极氧化膜表面呈不连续状；

采用真空镀膜法，以硅靶或铝靶为靶材，以氧气为反应气体，在经上述处理后的阳极氧化膜上形成真空镀膜层，该真空镀膜层为二氧化硅层或氧化铝层。

6.如权利要求5所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：所述盐酸水溶液擦拭处理的方法为：采用所述盐酸水溶液的质量百分含量为5-8%对所述阳极氧化膜的表面擦拭1-5min。

7.如权利要求5所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：所述盐酸水溶液擦拭处理的方法为：采用所述盐酸水溶液的质量百分含量为5%对所述阳极氧化膜的表面擦拭1min。

8.如权利要求5所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：形成所述真空镀膜层的方法为：采用磁控溅射镀膜法，设置硅靶或铝靶的功率为6~15kw，以氧气为反应气体，调节氧气的流量为50~200sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为100~300sccm，施加于基体的偏压为-100~-300V，镀膜温度为10~200℃，镀膜时间为30~40min。