[发明专利]用于提高0.18μ m 工艺MIM电容性能的方法

权利要求书

1.一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH₄气体和NH₃气体，所述SiH₄和NH₃在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：

向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N₂气体；并且

通过调节SiH₄气体、NH₃气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述N₂气体的流速在960±96sccm之间。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述SiH₄气体的流速在500±50sccm之间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述NH₃气体的流速在4390±439sccm之间。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述PECVD反应腔的压力在1.6Torr至1.8Torr之间。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述PECVD反应腔的温度在400±20℃之间。

7.一种用于制作0.18μm工艺MIM电容的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成下电极金属层；

采用权利要求1-7中任意一项所述的方法在所述下电极金属层上沉积氮化硅薄膜，形成氮化硅绝缘层；

在所述氮化硅绝缘层上形成上电极金属层；

刻蚀所述上电极金属层，形成金属上电极；

刻蚀所述氮化硅薄膜和所述下电极金属层，形成电容绝缘体及金属下电极。