[发明专利]一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110356721.2 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN102368513A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 贾海军;冯燕;张丽;王辉;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 唐山顺诚专利事务所 13106 | 代理人: | 于文顺 |
地址: | 071051 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 电池 结构 透明 导电 氧化物 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,特别是适合薄膜太阳能电池应用的双结构绒面透明电极,属于透明导电氧化物薄膜技术领域。
背景技术
全球气候变暖、人类生态环境恶化、常规能源面临短缺危险的形势下,可持续发展战略已被世界各国所接受。太阳能具有清洁、安全、资源充足、可再生等优点,是二十一世纪最重要的新能源之一,受到了各国政府的重视和支持,光伏产业以连续五年近48%的速度向前发展,由此使得光伏市场急剧扩大,光伏产品供不应求。光伏产品种类繁多,以硅基电池、铜铟镓硒电池和碲化镉电池为主。硅基电池包括单晶硅、多晶硅和薄膜硅电池。其中,薄膜硅太阳能电池具有弱光响应好、高温效应好、受阴影影响小、年平均发电量高、能够与建筑物完美结合等优点,而且生产所需原材料丰富、原材料消耗少,能量回收期短、生产过程对环境影响小、适于大批量生产等,因此受到广泛关注。薄膜硅电池中的非晶硅薄膜电池,带隙为1.7eV,光谱响应范围集中在可见光波段,红外区域利用较少。为了提高光谱利用率、提高电池的转换效率,将具有不同能带宽度的材料重叠,可使电池具有更宽光谱范围内的吸收。以微晶硅为例,微晶硅材料带隙为1.12eV,对近红外光有较强的吸收和利用。通过将非晶硅和微晶硅结合,从而实现对可见光和红外光的吸收和利用。未来高效率电池将开发全光谱多结薄膜电池,拓宽对太阳光谱的充分利用。薄膜太阳电池作为一个光学系统,要提高其对太阳光的利用率从而提高转换效率,需要对电池组件各层光学薄膜进行合理设计。薄膜硅太阳能电池的基本结构一般包括:前电极透明导电氧化物(TCO)薄膜、硅薄膜光电转换层、背电极透明导电膜、背反射层等(图1所示)。其中,前电极透明导电薄膜需要具备高光学透过率、高电导率以及对入射光有较强的散射能力,从而提高电池对光的吸收,增大光生电流,提高电池转换效率。采用具有绒面织构的TCO薄膜作为薄膜硅太阳能电池的前电极,可以提高对入射光的散射能力(图2所示)、延长光在本征吸收层中的光程,从而提高电池对光的吸收。经验证明,具有较小特征尺寸的表面绒面织构主要对可见光谱中的400-700nm波段有较强的光散射作用。而具有较大特征尺寸的表面绒面织构(如1~2μm)对光谱中的近红外部分具有较强的光散射作用。要实现对整个光谱范围的有效吸收,将具有较小和较大两种绒面织构相结合是一种比较理想的选择。实现TCO薄膜的绒面织构的方法有很多。主要是采用两种方法,一种是采用沉积工艺直接生长出具有绒面织构的薄膜,另一种是采用沉积工艺获得平整的TCO薄膜再通过后处理(例如:湿法刻蚀)的方法来获得所需的绒面织构。采用LPCVD工艺,通常以DEZ和水为原材料沉积出ZnO薄膜,表面绒面织构在薄膜沉积过程中会自然形成,通常沉积的绒面织构的尺寸较小,可以实现对可见光的散射。通过调整工艺参数,例如延长沉积时间,可以获得较大的绒面尺寸,来增强对近红外光的散射。沉积加湿法刻蚀工艺中,利用磁控溅射可以获得平整的TCO薄膜,再通过后续湿法刻蚀来制备绒面ZnO薄膜,此方法可以通过调整沉积或刻蚀工艺参数获得不同的绒面尺寸,实现对不同波长光的散射。用上述两种方法,虽然通过调整工艺参数可以改变TCO薄膜绒面尺度的大小,但是很难使薄膜同时具备两种尺寸的绒面织构,即双结构,从而无法同时实现对可见光和近红外光的散射。因此,如何制备出双结构的绒面TCO薄膜,拓展TCO薄膜对不同波段光的散射能力,拓宽电池对太阳光谱的充分利用,是目前提高薄膜电池转换效率的关键技术之一。
发明内容
本发明的目的是提供一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,拓宽电池对太阳光谱的利用,提高薄膜电池的转换效率,解决背景技术存在的上述问题。
本发明的技术方案是:一种薄膜电池的双结构绒面透明导电氧化物薄膜制备方法,包含如下工艺步骤:①利用等离子体刻蚀的方式对玻璃基片进行前处理轰击,在玻璃表面形成绒面,通过改变等离子体的气体电离电压、离子聚焦电压、等离子体束流以及等离子体轰击真空度,在玻璃衬底上刻蚀出绒面织构;②在绒面玻璃表面采用镀膜技术制备TCO透明导电薄膜,通过改变TCO沉积参数来获得不同结构及电学性能的TCO薄膜,此时TCO薄膜具有与玻璃衬底相似的绒面织构;③对玻璃表面的TCO薄膜进行湿法刻蚀,通过改变刻蚀溶液的种类、浓度、温度、刻蚀时间、TCO玻璃在溶液中运动的速率,获得相对应的绒面织构,该TCO薄膜表面刻蚀产生的绒面织构与玻璃衬底的绒面织构的特征尺寸范围不同时,使整个TCO薄膜具有双结构的绒面织构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定天威集团有限公司,未经保定天威集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110356721.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种治疗咽喉肿痛的中药
- 下一篇:一种高速钢轧辊材料的钢水处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的