[发明专利]一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于包含如下工艺步骤：①利用等离子体刻蚀的方式对玻璃基片进行前处理轰击，在玻璃表面形成绒面，通过改变等离子体的气体电离电压、离子聚焦电压、等离子体束流以及等离子体轰击真空度，在玻璃衬底上刻蚀出绒面织构；②在绒面玻璃表面采用镀膜技术制备TCO透明导电薄膜，通过改变TCO沉积参数来获得不同结构及电学性能的TCO薄膜，此时TCO薄膜具有与玻璃衬底相似的绒面织构；③对玻璃表面的TCO薄膜进行湿法刻蚀，通过改变刻蚀溶液的种类、浓度、温度、刻蚀时间、TCO玻璃在溶液中运动的速率，获得相对应的绒面织构，该TCO薄膜表面刻蚀产生的绒面织构与玻璃衬底的绒面织构的特征尺寸范围不同时，使整个TCO薄膜具有双结构的绒面织构。

2. 根据权利要求1所述之薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于所说的刻蚀溶液是酸、碱、醇。

3.根据权利要求1或2所述之薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于薄膜太阳能电池为硅基系列薄膜电池、碲化镉系列薄膜电池、铜铟镓硒系列薄膜电池或有机化合物材料薄膜电池。

4.根据权利要求1或2所述之薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于双结构绒面透明导电氧化物薄膜为氧化锌（ZnO）薄膜、硼（B）掺杂ZnO薄膜、铝（Al）掺杂ZnO薄膜、镓（Ga）掺杂ZnO薄膜、其他金属元素掺杂ZnO薄膜，也可以是金属元素掺杂的氧化锡薄膜等。

5.根据权利要求1或2所述之薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于通过等离子体刻蚀的方式获得起伏绒面的玻璃衬底。

6.根据权利要求1或2所述之薄膜电池双结构绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于所采用的镀膜技术为低压化学气相沉积（LPCVD）技术、磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术、旋涂技术等其他技术，所沉积的TCO薄膜具有与玻璃衬底相似的绒面织构。