[发明专利]密集孔局部镀厚铜工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种镀厚铜工艺，尤其涉及一种密集孔局部镀厚铜工艺。

背景技术

随着高集成元器件技术的快速发展，各类元器件设计趋向密集化，相应地对散热提出了更高的要求，传统的孔壁铜厚已不能满足此类设计需求；为满足散热需求，相应地对局部散热孔位置要求为局部厚铜设计(密集孔厚铜更有利于散热)，以便满足重要元器件电性能及散热所需。而采用传统PCB制作工艺是无法实现局部镀厚铜需求，因此，需要开发一种此类PCB的加工方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种密集孔局部镀厚铜工艺，采用二次钻孔+二次沉铜工艺，且采用局部镀厚铜以达到更好的散热效果，满足了未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。

为实现上述目的，本发明提供一种密集孔局部镀厚铜工艺，包括如下步骤：

步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X-RAY打孔；

步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔；

步骤3、镀厚铜，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm以上；

步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理；

步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；

步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。

还包括步骤2.1、烘板处理，烘板条件为150-180℃烘烤5h；

步骤2.2、对镀厚铜区域孔进行毛刺去除处理。

还包括步骤4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔。

进一步包括步骤7、对步骤6镀铜后的基板进行图形电镀、外层蚀刻、阻焊、沉金、铣板、电测及终检处理，获得成品。

步骤3中以15-20ASF的电流密度电镀96min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀96min。

步骤6中以15-20ASF的电流密度电镀48min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀48min。

本发明的有益效果是：本发明的密集孔局部镀厚铜工艺，采用二次钻孔+二次沉铜工艺，改变了传统PCB制作中的一次钻孔+沉铜工艺，通过在电子产品高散热电子元器件贴装的PCB位置设计局部镀厚铜，将元器件工作时产生的高热量，利用铜良好的导热系数，将热量有效传导散发出去，可保证了电子元器件具有更好的工作状态，同时延长了电子元器件使用寿命，确保了电子电器稳定运行，满足了未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。

附图说明

下面结合附图，通过对发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为本发明的密集孔局部镀厚铜工艺的流程图；

图2为采用本发明工艺制作的PCB成品与元器件工作过程中的截面结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，为本发明的密集孔局部镀厚铜工艺的流程图，该工艺包括如下步骤：

步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X射线(X-RAY)打孔(打第一套定位标靶)；该步骤可通过现有技术实现。

步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔。

步骤2.1、烘板处理，烘板条件为150-180℃烘烤5小时(h)。

步骤2.2、对镀厚铜区域孔进行毛刺去除处理，如去除钻孔披锋等。

步骤3、镀厚铜，脉冲参数：15-20ASF×(96min+96min)，即以15-20安培/平方英尺(ASF)的电流密度电镀96分钟(min)，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀96min，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm以上，这样可更好的满足散热需求。

步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理，获得正常所需的面铜厚度。

步骤4.1、去除干膜、磨板及X-RAY打孔(打第二套定位标靶)。磨板可采用砂带研磨机，对孔位外侧存在的凸镀等现象进行打磨至与板面平齐。

步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；

步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜，镀铜参数：15-20ASF×(48min+48min)，即以15-20ASF的电流密度电镀48min，然后将基板掉头，再以15-20ASF的电流密度电镀48min。