[发明专利]一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构，其特征是，包括：P型衬底上形成有有源区、P型膺埋层和浅沟槽隔离，浅沟槽隔离形成于P型膺埋层的上方，P型膺埋层和浅沟槽隔离位于有源区两侧，P型膺埋层与有源区相连；N型重掺杂区形成于有源区上方，多晶硅层形成于钱沟槽隔离区上方与N型重掺杂区相邻；N型重掺杂区和P型膺埋层分别通过接触孔引出连接金属连线。

2.如权利要求1所述的寄生N-I-P型PIN器件结构，其特征是：所述有源区具有P型杂质。

3.一种BiCMOS工艺中寄生N-I-P型PIN器件结构的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型衬底上制作浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离底部注入形成P型膺埋层；

(2)淀积多晶硅层；

(3)注入形成N型重掺杂区；

(4)去除部分多晶硅层，将P型膺埋层和N型重掺杂区分别通过接触孔引出，在接触孔中填充钛或锡以及金属钨，连接金属连线。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征是：在步骤(2)和(3)之间，增加步骤(A)注入轻掺杂P型杂质形成有源区，热退火。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征是：实施步骤(1)时，注入硼或铟杂质，剂量为1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量小于15keV。

6.如权利要求3所述的制造方法，其特征是：实施步骤(4)时，注入磷或砷杂质，剂量为1e14cm^-2至1e16cm^-2，能量为2keV至100keV。

7.如权利要求4所述的制造方法，其特征是：实施步骤(A)时，注入硼或铟杂质，剂量为1e12cm^-2至5e13cm^-2，能量为100keV至2000keV。