[发明专利]化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法无效
| 申请号： | 201110355630.7 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102509705A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张文广;徐强;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 损伤 介电常数 薄膜 修复 方法 | ||
1.一种化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法，包括如下步骤：
在基底层上由下至上依次沉积第一介电阻挡层和第一介电层，采用蚀刻工艺在第一介电阻挡层和第一介电层中形成第一沟槽；
在第一沟槽的侧壁和第一介电层的表面上形成扩散阻挡层后，进行金属填充形成第一沟槽电镀铜；
对上述结构进行化学机械抛光工艺，停止在第一介电层的表面上；
进行预热处理，去除上述结构中的水汽；
对上述结构的表面采用还原性气体组合进行原位等离子体工艺后，进行第二介电阻挡层的沉积。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法，其特征在于：所述预热处理的反应温度为200摄氏度至400摄氏度。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法，其特征在于：所述还原性气体组合为氢气和碳氢化合物的混合物。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法，其特征在于：所述原位等离子体工艺的工作压力为2托至8托，反应温度为200摄氏度至400摄氏度，在He气体氛围下，反应气体H2和CxHy，其中，H2与CxHy的气体流量比为10至100。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法，其特征在于：所述扩散阻挡层的形成采用物理气相沉积工艺。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光后损伤的超低介电常数薄膜的修复方法，其特征在于：所述金属填充采用电镀工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
