[发明专利]光锥型高功率耦合器及其制造方法

权利要求书

1.一种光锥型高功率耦合器，它包括能量光纤(4)，其特征在于：它还包括圆台形光锥(2)，所述光锥(2)直径较大的端面为输入端面(1)，直径较小的端面为耦合端面(3)，耦合端面(3)的直径与能量光纤(4)的直径相匹配，光锥(2)通过耦合端面(3)与能量光纤(4)熔接为一体，其外设有金属护套。

2.如权利要求1所述的光锥型高功率耦合器，其特征在于：所述光锥(2)的输入端面(1)的直径长度为4～20毫米。

3.如权利要求1所述的光锥型高功率耦合器，其特征在于：所述光锥(2)的耦合端面(3)的直径长度为0.13～2毫米。

4.如权利要求1所述的光锥型高功率耦合器，其特征在于：所述光锥(2)的输入端面(1)与耦合端面(3)之间的距离为50～1800毫米。

5.如权利要求1所述的光锥型高功率耦合器，其特征在于：所述护套包括连接为一体的粗环套管(5)和细环套管(6)，所述粗环套管(5)的内径与输入端面(1)的直径相匹配，细环套管(6)的内径与能量光纤(4)的直径相匹配，光锥(2)通过软胶粘接固定在护套中，输入端面(1)与粗环套管(5)的外端平齐。

6.如权利要求1所述的光锥型高功率耦合器的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

A、将光纤预制棒部分拉制成能量光纤(4)后，将余棒放置到熔融拉锥机上，根据预先设定的圆台形光锥(2)的输入端面(1)的直径进行拉制；

B、设定与所述能量光纤(4)相匹配的耦合端面(3)的直径、及光锥(2)的输入端面(1)与耦合端面(3)之间的距离，通过熔融拉锥机进行拉锥；

C、将光锥(2)的耦合端面(3)与能量光纤(4)熔接为一体；

D、将光锥(2)固定在金属护套中。

7.如权利要求6所述的光锥型高功率耦合器的制造方法，其特征在于：步骤A中所述光锥(2)的输入端面(1)的直径长度为4～20毫米。

8.如权利要求7所述的光锥型高功率耦合器的制造方法，其特征在于：步骤B中所述光锥(2)的耦合端面(3)的直径长度为0.13～2毫米。

9.如权利要求7所述的光锥型高功率耦合器的制造方法，其特征在于：步骤B中所述光锥(2)的输入端面(1)与耦合端面(3)之间的距离为50～1800毫米。

10.如权利要求9所述的光锥型高功率耦合器的制造方法，其特征在于：步骤D包括以下步骤：

D1、选取由内径与输入端面(1)的直径相匹配、长度与输入端面(1)与耦合端面(3)之间距离相匹配的粗环套管(5)、及内径与能量光纤(4)的直径相匹配的细环套管(6)构成的护套；

D2、将光锥(2)插入所述护套中，使光锥(2)的输入端面(1)与护套的粗环套管(5)的外端平齐，然后在光锥(2)与护套间的空隙部分填入软胶，将光锥(2)粘接固定在护套中。