[发明专利]一种基于最速下降法光刻配置参数的优化方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于最速下降法光刻配置参数的优化方法，属于光刻配置参数协同优化设计领域。

背景技术

光学光刻是光刻机用光学投影曝光的方法将掩模板上的电路器件结构图形刻蚀到硅片上的过程。光刻机主要由光源、照明系统、掩模台、投影物镜以及硅片工件台五部分组成。为了实现良好的光刻性能，达到较大的光刻焦深，需要合理配置光刻机各部分参数，如投影物镜数值孔径NA的大小、照明相干因子Sigma的值、偏振光类型、光刻胶厚度以及掩模Bias大小等。

评价光刻性能的指标主要有：图形对比度Contrast、归一化对数斜率NILS以及光刻焦深DOF等。光刻焦深是评价光刻系统性能的主要参数之一，光刻焦深定义为：在一定的曝光剂量变化范围EL内，光刻胶图形在一定的尺寸误差、侧壁角、光刻胶损失的约束条件下，所能实现的最大离焦量。光刻焦深越大，光刻性能越好。

光刻配置参数优化是合理的配置光刻系统中器件结构参数、曝光工艺参数、分辨率增强技术(离轴照明、相移掩模、光学临近效应校正)、工艺叠层参数等多个系统参数，统筹考虑不同因素在其不同限定条件下的约束，以实现最优的光刻性能。

当前，已有很多优化光刻配置参数的方法(李艳秋等，光学参数配置对ArF光刻性能影响研究[J].电子工业专用设备，2004，33(4)：36-39.)。但是，当前的光刻配置参数优化方法仅限于对一个或两个光刻配置参数的优化，要使光刻机的性能达到最优，光刻机中每个参数均应合理配置；同时，当前的研究主要应用遍历仿真的方法确定光刻配置参数，计算量非常大，且精度低，难以找出最优的光刻配置参数。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于最速下降法光刻配置参数的优化方法；该方法同时对多种光刻配置参数进行优化配置，可使优化后的光刻机达到良好的光刻性能，且优化效率高。

实现本发明的技术方案如下：

一种基于最速下降法光刻配置参数的优化方法，具体步骤为：

步骤101、确定欲优化的n种光刻配置参数，针对每一种光刻配置参数选定一初始值构成1×n维矩阵{x_i}₁＝{x₁，x₂，L，x_n}1，i＝{1，2，L，n}；确定每种光刻配置参数的变化范围{x_i∈[a_i，b_i}＝{[a₁，b₁，[a₂，b₂]L，[a_n，b_n]}，确定每种光刻配置参数用于求解差商的差值{Δx_i∈[a_i，b_i}，其中|Δx_i|＜＜|x_i|；给定优化精度允许误差ε＞0，最大一维搜索次数k_max，并令循环次数k＝1；

步骤102、确定用于评价光刻性能的m种光刻性能评价指标y_j，j＝{1，2，L，m}，并构造光刻性能综合评价函数其中γ_j为针对各光刻性能评价指标设定的比重值；

步骤103、对循环次数k进行判断，若k≤k_max，则进入步骤104，若k＞k_max，则进入步骤108；