[发明专利]一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110350990.8 申请日: 2011-11-09
公开(公告)号: CN102432611A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 安晓霞;吕锋;胡猛;刘军;毕光庆 申请(专利权)人: 上海希迈医药科技有限公司;江苏迪赛诺制药有限公司
主分类号: C07D477/20 分类号: C07D477/20;C07D477/06
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 结晶体 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法,具体说,是涉及一种(4R,5R,6S)-3-[(3S,5S)-5-[(3-羧基苯基)氨基甲酰基]-N-对硝基苄氧羰基-吡咯烷-3-基]硫-6-[(1R)-1-羟乙基]-4-甲基-7-氧代-1-氮杂双环[3.2.0]庚-2-烯-2-甲酸对硝基苄基酯结晶体及其制备方法,属于有机化学技术领域。

背景技术

厄他培南钠(ertapenem sodium)是由英国AstraZeneca公司发明,后转让给默克公司作进一步研究开发,是新的带有4位(R)甲基的注射用广谱长效碳青霉烯类抗生素,2002年在美国首次上市,其结构式如式I所示:

(4R,5R,6S)-3-[(3S,5S)-5-[(3-羧基苯基)氨基甲酰基]-N-对硝基苄氧羰基-吡咯烷-3-基]硫-6-[(1R)-1-羟乙基]-4-甲基-7-氧代-1-氮杂双环[3.2.0]庚-2-烯-2-甲酸对硝基苄基酯(双保护厄他培南),是合成厄他培南的关键中间体,其结构式如式II所示:

Williams JM等人(J.Org.Chem.2005,70:7479~7487)报道了厄他培南的制备过程,由MAP和PNZ保护的厄他培南侧链缩合制备双保护厄他培南,反应结束后倒入稀磷酸及乙酸乙酯中,分层后含双保护厄他培南的乙酸乙酯层直接氢化制备厄他培南。

中国专利CN1752090报道了MAP与PNZ保护的侧链缩合后,不分离中间体直接氢化还原制备厄他培南,未报道双保护厄他培南纯化方法。

WO9802439报道了MAP与PNZ保护的侧链缩合工艺,未报道产物纯化后处理方法及相关理化性质。

WO2008/062279报道了双保护厄他培南的3种纯化方法,方法一:将MAP与PNZ保护的侧链缩合反应液经THF稀释后倒入pH=7的缓冲液及乙酸乙酯的混合溶剂,萃取分层后40℃下减压蒸除乙酸乙酯后再补加乙酸乙酯析晶,缺点在于40℃下旋蒸乙酸乙酯过程产物部分分解,产物的质量不能控制;方法二:将MAP与PNZ保护的侧链缩合反应液倒入水及乙酸乙酯的混合溶剂,分层后乙酸乙酯层直接氢化,此方法与大部分报道方法一致;方法三:将MAP与PNZ保护的侧链缩合反应液倒入水或pH=7的缓冲液中直接析出固体,此方法缺点在于反应中所用碱无法去除,导致所得产物发粘及纯度差。且该专利并未公开产物的理化性质及纯度指标。

中国专利CN101875665公开了一种双保护厄他培南的无定型态及制备方法,将MAP与PNZ保护的侧链缩合反应液倒入酸性水溶液中直接析出固体。未报道双保护厄他培南的无定型态稳定性数据,众所周知,晶型状态物质稳定性优于无定型态,因此双保护厄他培南的无定型态的储存、运输等会在大生产时面临很多无法解决的困难。

由上可知,现有技术对双保护厄他培南的晶体结构没有进行任何报道,通过现有技术也不能得到稳定性高的、纯度高的双保护厄他培南。

发明内容

针对现有技术所存在的上述问题和不足,本发明的目的是提供一种稳定的、高纯度的如式II所示的双保护厄他培南的结晶体及其制备方法,为制备高纯度、质量稳定的厄他培南奠定基础和保证。

为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

一种双保护厄他培南结晶体,具有如式II所示的化学结构式,其特征在于:具有图1所示的粉末X射线衍射谱图。

进一步,所述的双保护厄他培南结晶体,还具有图2所示的IR谱图、图3所示的DSC谱图及图4所示的DSC-TG谱图。

更进一步,所述的双保护厄他培南结晶体,在粉末X射线衍射下,在衍射角度2θ为5.2°±0.1°,9.1°±0.1°,10.4°±0.1°,15.3°±0.1°,17.2°±0.1°,17.7°±0.1°,21.7°±0.1°,22.6°±0.1°,25.2°±0.1°处有特征峰。

本发明所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法,包括如下步骤:

a)使碳青霉烯母核MAP和厄他培南侧链进行缩合反应,反应结束,将反应液倒入pH值为4~6的缓冲液与酯类溶剂形成的混合溶剂中,萃取分层,再向有机层内加入缓冲液洗涤;

b)有机层用无水硫酸钠干燥、过滤后,于0~30℃搅拌析晶,过滤,洗涤滤饼,真空干燥。

作为优选方案,在步骤b),在0~30℃搅拌析晶1~24小时后,再于0~30℃滴加非极性烷烃类溶剂,滴毕过滤。

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