[发明专利]发光二极管的封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201110349995.9 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN103035815A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 魏石龙;萧胜利;何键宏 | 申请(专利权)人: | 光颉科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/56;H01L33/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于发光二极管的封装结构及其制造方法,尤其涉及一种可提升产品可靠度的封装结构及其制造方法。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品朝着轻薄短小、高性能、高功能、高速度化等目标前进,其中,在照光需求的电子产品中,发光二极管(LED)因体积小、耗电量低等特性而被广泛地应用。
现有发光二极管安装在基板上后,会以如环氧树脂和硅胶等胶体来封装,例如,可于平面基板上方以封胶模具罩上并灌入胶体。虽然发光二极管封装件无需其它构件来协助灌胶,但此种封装机台成本昂贵且可能会产生漏胶的情况。为了降低封装成本,业界遂发展另一种发光二极管的封装方式,主要是提供其它构件来辅助灌胶,如图1所示,其揭示一种现有发光二极管封装件的剖视图,关于该封装件的制法,首先于一金属导线架100上以射出成型方式来形成反射杯110,且反射杯110形成有贯通的开口111,接着将发光二极管300设置在开口111内,最后,将封装胶体400灌入开口111以包覆发光二极管300,从而完成发光二极管封装结构。
前述方式虽无需使用高成本的机台,但对封装件而言仍存在很多问题。主要是因为金属导线架100(金属材料)与反射杯110(塑料材料)的材料特性不同会使两者间结合力效果差,因而现有的制法中以射出成型方式将反射杯110让金属导线架100嵌入其中,来避免反射杯110从金属导线架100分离,但该反射杯110是塑料制成,例如PA9T材料,虽然可耐高温,但通常其热传导系数仅约为0.2w/m·K,故散热能力不佳,所有LED产生的热能及供给电流均只能通过细小的金属导线架100做传输,因此这种封装模块导热性差并使热能累积,造成发光二极管封装件的温度升高,如此反射杯110会在长期高温下脆化或裂解,使发光二极管芯片降低寿命或效能。
因此,如何提供具有高可靠度的发光二极管的封装结构,在不增加封装成本的前提下可避免发光二极管的封装结构在高温下受损,实属本领域的技术人员所应面对的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺点,本发明的目的在于以现有发光二极管的机台,提供一种利用胶膜对散热基板及反射杯层进行封装。
本发明的另一目的在于,提供高可靠度的发光二极管的封装结构。
为达前述目的及其它目的,本发明提供一种发光二极管的封装结构,其包括:金属化陶瓷散热基板;反射杯层,其位于该金属化陶瓷散热基板的一侧,具有开口以外露出该金属化陶瓷散热基板的表面;胶膜,其位于该金属化陶瓷散热基板与该反射杯层间,用以接合该金属化陶瓷散热基板及该反射杯层。
于一实施例中,前述的反射杯层是由氮化铝、氧化铝或PA9T、铁氟龙等工程塑料所形成。
于另一实施例中,前述反射杯层的开口的孔径朝该金属化陶瓷散热基板的表面渐缩。
于又一实施例中,本发明的封装结构还包括形成于该金属化陶瓷散热基板的表面的线路层,且该胶膜同时覆盖该金属化陶瓷散热基板及该线路层。
本发明又提出一种发光二极管的封装结构的制造方法,其包括:提供一金属化陶瓷散热基板及一反射杯层;将胶膜附着于该反射杯层的一侧边;于附着有该胶膜的该反射杯层上形成贯通的开口;以及将该金属化陶瓷散热基板与附着有该胶膜且具有该开口的反射杯层对准叠合,并以真空热压方式使该金属化陶瓷散热基板通过该胶膜接合该反射杯层。
又,本发明还提出一种发光二极管的封装结构的制造方法,其包括:提供一金属化陶瓷散热基板、具有第一开口的反射杯层以及具有第二开口的胶膜;以及将该反射杯层的第一开口对准与该胶膜的第二开口以叠合该金属化陶瓷散热基板、该胶膜及该反射杯层,并通过真空热压方式使该金属化陶瓷散热基板和该反射杯层借由该胶模相互接合。
相较于现有技术,本发明提出一种发光二极管的封装结构及其制造方法,将反射杯层以陶瓷或高分子工程塑料等材料来形成,避免长期在发光二极管高温使用下导致反射杯层的脆化或裂解。另外,本发明利用胶膜将金属化陶瓷散热基板及反射杯层结合,所形成封装结构可通过现有封装机台来进行发光二极管封装,如此不仅大幅降低封装成本也无需新机台设备的支出。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有发光二极管封装件的剖视图;
图2为本发明用于发光二极管的封装结构的剖视图;
图3为本发明用于发光二极管的封装结构另一实施例的剖视图;
图4A和图4B为本发明用于发光二极管的封装结构又一实施例的剖视图;
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