[发明专利]埋层引出结构及其制造方法

权利要求书

1.一种埋层引出结构，包括衬底、外延层以及位于两者之间的埋层；在外延层中具有隔离区，其特征是，在隔离区中具有接触孔电极，所述接触孔电极的底部在埋层中。

2.根据权利要求1所述的埋层引出结构，其特征是，所述接触孔电极为钨。

3.根据权利要求1所述的埋层引出结构，其特征是，所述接触孔电极与埋层相接触的底部还具有钛和/或氮化钛作为阻挡层。

4.根据权利要求1所述的埋层引出结构，其特征是，所述埋层的掺杂浓度在1×10¹⁸原子每立方厘米以上。

5.如权利要求1所述的埋层引出结构的制造方法，其特征是，包括如下步骤：

第1步，在衬底上通过离子注入工艺形成掺杂区；

第2步，在掺杂区上方通过外延工艺生长一层单晶外延层，此时掺杂区就成为了埋层；

第3步，在外延层中制作隔离区；

第4步，在隔离区中刻蚀通孔，所述通孔的底部与埋层相接触；接着在所述通孔中填充金属以形成接触孔电极。

6.根据权利要求5所述的埋层引出结构的制造方法，其特征是，所述方法第3步中，以局部氧化工艺或浅槽隔离工艺制作隔离区。

7.根据权利要求5所述的埋层引出结构的制造方法，其特征是，所述方法第4步中，刻蚀通孔包括两步，首先刻蚀隔离区以形成通孔的一部分，此时所形成的通孔底部停止在隔离区与外延层的分界面上；接着刻蚀外延层以形成通孔的另一部分，直到所述通孔接触埋层。

8.根据权利要求5所述的埋层引出结构的制造方法，其特征是，所述方法第4步中，在所述通孔中填充金属以形成接触孔电极包括：先以化学气相淀积工艺在硅片上淀积钨，钨填满所述通孔形成钨塞即接触孔电极，接着通过干法反刻工艺或化学机械研磨工艺将硅片上方的钨去除。

9.根据权利要求5所述的埋层引出结构的制造方法，其特征是，所述方法第4步中，先在所述通孔底部形成钛和/或氮化钛的阻挡层，再在所述通孔中填充金属形成接触孔电极。