[发明专利]半导体模块无效

专利信息
申请号: 201110349129.X 申请日: 2011-10-14
公开(公告)号: CN102456655A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 荻野博之;上野成则 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/495
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,该半导体模块具备如下形态:在引线框上排列搭载有多个在表面和背面分别具有电极的半导体芯片,且上述电极并联连接并分别引出,上述半导体模块的特征在于,

上述半导体模块具备:

夹式引线,其具有在上述引线框上覆盖上述半导体芯片的排列的形状,并隔着上述半导体芯片固定到上述引线框上,上述夹式引线在上述半导体芯片侧的面上、与上述各半导体芯片的表面的电极对应的部位具备凸部;

与上述引线框电连接的引线;以及

与上述夹式引线电连接的引线,

上述各半导体芯片的背面的电极与上述引线框连接,

上述各半导体芯片的表面的电极经由焊锡层与上述夹式引线的凸部接合。

2.如权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,

上述半导体芯片在俯视时为矩形形状,

在上述夹式引线中的与上述半导体芯片的角部对应的部位设置有开口部。

3.如权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,

在上述夹式引线中,与各个上述半导体芯片对应地形成上述凸部,在围绕上述凸部的四个部位形成上述开口部。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的半导体模块,其特征在于,

上述凸部通过冲压加工形成。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的半导体模块,其特征在于,

在上述半导体芯片形成有二极管。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的半导体模块,其特征在于,

上述半导体芯片由GaN、AlGaN、SiC、金刚石中任意一种物质的单晶构成。

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