[发明专利]一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构，其特征是，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区的两侧；所述浅沟槽隔离底部形成有P型膺埋层和N型膺埋层，所述N型膺埋层与集电区相连；所述集电区和浅沟槽隔离上形成有发射区和介质层，所述介质层与发射区相邻且部分发射区位于介质层上方；隔离侧墙形成于所述介质层和发射区两侧；所述N型膺埋层和P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线；所述发射区通过接触孔引出连接金属连线。

2.如权利要求1所述的寄生PNP器件结构，其特征是：所述P型膺埋层具有硼杂质。

3.如权利要求1所述的寄生PNP器件结构，其特征是：所述N型膺埋层具有磷杂质。

4.一种SiGe BiCMOS工艺中的寄生PNP器件结构的制造方法，其特征是，包括：

(1)在P型衬底上制作浅沟槽隔离；

(2)在浅沟槽隔离底部注入N型离子和P型离子，形成N型膺埋层和P型膺埋层；

(3)用二氧化硅填充浅沟槽隔离，注入形成集电区；

(4)生长二氧化硅或氮化硅，淀积锗硅多晶；

(5)刻蚀去除步骤(4)中生长的二氧化硅或氮化硅以及锗硅多晶后，进行第二次二氧化硅或氮化硅生长，刻蚀去除部分第二次生长的二氧化硅或氮化硅形成介质层；

(6)淀积多晶硅，刻蚀后进行P型离子注入形成发射区；

(7)生成隔离侧墙，将N型膺埋层、P型膺埋层通过深接触孔引出连接金属连线，将发射区通过接触孔引出连接金属连线。

5.如权利要求4所述的寄生PNP器件结构制造方法，其特征是：实施步骤(2)时，注入N型离子和P型离子的剂量为1¹⁴cm^-2至1¹⁶cm^-2，能量小于15keV。