[发明专利]一种磁控溅射可钢化双银LOW-E 玻璃及制备该玻璃的方法有效
申请号: | 201110348500.0 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN102503174A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 林改 | 申请(专利权)人: | 中山市格兰特实业有限公司火炬分公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 中山市科创专利代理有限公司 44211 | 代理人: | 谢自安 |
地址: | 528400 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁控溅射 可钢化双银 low 玻璃 制备 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及一种磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃,本发明还涉及一种磁控溅射法制备可钢化双银LOW-E玻璃的方法。
【背景技术】
玻璃是在当代的生产和生活中扮演着重要角色,建筑物的门窗汽车车窗和挡风玻璃等等许多地方都用到玻璃,给生产和生活带来了很多的方便。但是现有的镀膜玻璃的镀膜层与玻璃基材的结合力弱、镀膜层疏松、不均匀。
【发明内容】
本发明目的是克服了现有技术的不足,提供一种透过率高,镀膜层与玻璃基材的结合力强、镀膜层致密、均匀的磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃,本发明还提供一种磁控溅射法制备可钢化双银LOW-E玻璃的方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片1,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有十三个膜层,其中第一膜层即最内层为SiO2层21,第二层为TiO2层22,第三层为CrNx层23,第四层为ZnO层24,第五层为Ag层25,第六层为NiCrOy层26,第七层为TiO2层27,第八层为ZnSn3O4层28, 第九层为ZnO层29,第十层为Ag层210,第十一层为NiCrOy层211,第十二层为TiO2层212,最外层为Si3N4Oy层213。
如上所述的磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃,其特征在于所述第一膜层SiO2层21的厚度为23~27nm,第二层TiO2层22的厚度为28~32nm,第三层CrNx层23的厚度为1.5~3nm,第四层ZnO层24的厚度为8~12nm,第五层Ag层25的厚度为8~12nm,第六层NiCrOy层26的厚度为1.5~3nm,第七层TiO2层27的厚度为28~32nm,第八层ZnSn3O4层28的厚度为58~62nm,第九层ZnO层29的厚度为8~12nm,第十层Ag层210的厚度为8~12nm,第十一层NiCrOy层211的厚度为1.5~3nm,第十二层TiO2层212的厚度为18~22nm,最外层Si3N4Oy层213的厚度为28~32nm。
一种磁控溅射法制备上述的可钢化双银LOW-E玻璃的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)磁控溅射SiO2层,用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比Si∶Al(90~98∶2~10);
(2)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(3)磁控溅射CrNx层,用氮气做反应气体,用直流电源溅射;
(4)磁控溅射ZnO层,平滑CrNx层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(5)磁控溅射Ag层,交流电源溅射;
(6)磁控溅射NiCrOy层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(7)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(8)磁控溅射ZnSn3O4层,用中频交流电流溅射ZnSn重量比(Zn∶Sn=48~52∶48~52);
(9)磁控溅射ZnO层,平滑CrNx层,用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶,为Ag层作铺垫;
(10)磁控溅射Ag层,交流电源溅射;
(11)磁控溅射NiCrOy层,用氮气做反应气体,渗少量氧气,用直流电源溅射;
(12)磁控溅射TiO2层,用交流中频电源溅射陶瓷钛靶;
(13)磁控溅射Si3N4Oy层,氮气作反应气体、用交流中频电源溅射半导体材料重量比Si∶Al(90~98∶2~10)。
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