[发明专利]一种磁控溅射可钢化双银LOW-E 玻璃及制备该玻璃的方法

权利要求书

1.一种磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有十三个膜层，其中第一膜层即最内层为SiO₂层(21)，第二层为TiO₂层(22)，第三层为CrN_x层(23)，第四层为ZnO层(24)，第五层为Ag层(25)，第六层为NiCrO_y层(26)，第七层为TiO₂层(27)，第八层为ZnSn₃O₄层(28)，第九层为ZnO层(29)，第十层为Ag层(210)，第十一层为NiCrO_y层(211)，第十二层为TiO₂层(212)，最外层为Si₃N₄O_y层(213)。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层SiO₂层(21)的厚度为23～27nm，第二层TiO₂层(22)的厚度为28～32nm，第三层CrN_x层(23)的厚度为1.5～3nm，第四层ZnO层(24)的厚度为8～12nm，第五层Ag层(25)的厚度为8～12nm，第六层NiCrO_y层(26)的厚度为1.5～3nm，第七层TiO₂层(27)的厚度为28～32nm，第八层ZnSn₃O₄层(28)的厚度为58～62nm，第九层ZnO层(29)的厚度为8～12nm，第十层Ag层(210)的厚度为8～12nm，第十一层NiCrO_y层(211)的厚度为1.5～3nm，第十二层TiO₂层(212)的厚度为18～22nm，最外层Si₃N₄O_y层(213)的厚度为28～32nm。

3.一种磁控溅射法制备权利要求1所述的可钢化双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射SiO₂层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比Si∶A1(90～98∶2～10)；

(2)磁控溅射TiO2层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射CrNx层，用氮气做反应气体，用直流电源溅射；

(4)磁控溅射ZnO层，平滑CrNx层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(5)磁控溅射Ag层，交流电源溅射；

(6)磁控溅射NiCrO_y层，用氮气做反应气体，渗少量氧气，用直流电源溅射；

(7)磁控溅射TiO2层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(8)磁控溅射ZnSn3O4层，用中频交流电流溅射ZnSn重量比(Zn∶Sn＝48～52∶48～52)；

(9)磁控溅射ZnO层，平滑CrNx层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(10)磁控溅射Ag层，交流电源溅射；

(11)磁控溅射NiCrO_y层，用氮气做反应气体，渗少量氧气，用直流电源溅射；

(12)磁控溅射TiO2层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(13)磁控溅射Si3N4Oy层，氮气作反应气体、用交流中频电源溅射半导体材料重量比Si∶A1(90～98∶2～10)。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述第一膜层SiO₂层(21)的厚度为23～27nm，第二层TiO₂层(22)的厚度为28～32nm，第三层CrN_x层(23)的厚度为1.5～3nm，第四层ZnO层(24)的厚度为8～12nm，第五层Ag层(25)的厚度为8～12nm，第六层NiCrO_y层(26)的厚度为1.5～3nm，第七层TiO₂层(27)的厚度为28～32nm，第八层ZnSn₃O₄层(28)的厚度为58～62nm，第八层ZnO层(29)的厚度为8～12nm，第十层Ag层(210)的厚度为8～12nm，第十一层NiCrO_y层(211)的厚度为1.5～3nm，第十二层TiO₂层(212)的厚度为18～22nm，最外层Si₃N₄O_y层(213)的厚度为28～32nm。