[发明专利]高功率发光装置

说明书

本申请是申请日为2008年5月26日且发明名称为“高功率发光装置”的中国专利申请200810108805.2的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种高功率发光装置，尤其涉及一种具有周期结构的高功率发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)为一种固态物理半导体元件，其至少包含p-n结(p-n junction)，此p-n结形成于p型与n型半导体层之间。当于p-n结上施加一定程度的偏压时，p型半导体层中的空穴与n型半导体层中的电子将会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区(active region)。

LED为了特定的目的会转换基板，例如使用散热佳的铜基板或可增加出光效率的透明基板，如蓝宝石基板，并且在LED的上表面形成规则的图案以提高光摘出效率。一般而言，转换基板后，原本外延生长工艺里的生长基板与未掺杂的缓冲层会被移除而裸露出掺杂的外延层，例如p型半导体或n形半导体，接着于裸露的外延层上形成窗户层或介电层，例如ITO，再形成规则图案于窗户层或介电层上，工艺较为繁复。

发明内容

高功率发光装置包含支持基板；接合层，位于支持基板之上；反射层，位于接合层之上；导电接触层，位于反射层之上；发光叠层，位于导电接触层之上；以及未掺杂半导体层，位于发光叠层之上。发光叠层包含第一掺杂型半导体层，位于导电接触层之上；发光层，位于第一掺杂型半导体层之上；第二掺杂型半导体层，位于发光层与未掺杂半导体层之间。未掺杂型半导体层具有开口以裸露部分第二掺杂型半导体层。于开口之中形成第一电极，并与第二掺杂型半导体层接触；第二电极，位于支持基板之下。

高功率发光装置包含支持基板；接合层，位于支持基板之上；反射层，位于接合层之上；导电接触层，位于反射层之上；发光叠层，位于导电接触层之上；以及未掺杂半导体层，位于发光叠层之上。发光叠层包含第一掺杂型半导体层，位于导电接触层之上；发光层，位于第一掺杂型半导体层之上；第二掺杂型半导体层，位于发光层与未掺杂半导体层之间。未掺杂型半导体层具有开口以裸露部分第二掺杂型半导体层。于开口之中形成第一电极，并与第二掺杂型半导体层接触；第二电极，位于导电接触层裸露的部分。

附图说明

图1至图5为显示依据本发明一实施例的高功率发光装置的制造流程剖面图。

图6为显示依据本发明另一实施例的高功率发光装置的剖面图。

图7为示意图，显示利用本发明实施例的发光元件组成的光源产生装置的示意图。

图8为示意图，显示利用本发明实施例的发光元件组成的背光模块的示意图。

附图标记说明

1发光装置                  10，2高功率发光装置

100生长基板                101，201支持基板

110，210未掺杂型半导体层   112，212周期结构

114，214开口               120，220发光叠层

122，222第二掺杂型半导体层 124，224发光层

126，226第一掺杂型半导体层 130导电接触层

140反射层                  150接合层

160，260第一电极           170，270第二电极

3光源产生装置              31光源

32电源供应系统             33控制元件

4背光模块                  41光学元件

具体实施方式