[发明专利]放大器感测

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一读位线，连接第一存储器阵列的多个第一存储器单元和第一参考单元；所述第一读位线具有第一读位线电压；

第二读位线，连接第二存储器阵列的多个第二存储器单元和第二参考单元；所述第二读位线具有第二读位线电压；以及

读出放大器，被配置为接收所述第一读位线作为第一输入端并且接收所述第二读位线作为第二输入端；

其中，当读取所述多个第一存储器单元的存储器单元时：

读取激活所述存储器单元；

所述第一参考单元配置为截止；

所述第二参考单元配置为导通；以及

所述读出放大器配置为提供结果，所述结果基于所述第一读位线电压和所述第二读位线电压之间的电压差反应存储在所述存储器单元中的数据逻辑。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，在所述读出放大器配置为提供所述结果以前，将所述第一读位线和所述第二读位线配置为被充电至高电压电平。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述第二参考单元为电流吸收电路，被配置为将所述第二读位线电压拉至低于充电的所述高电压电平的电压电平。

4.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二参考单元包括：

下拉电路，包括：第一晶体管，具有第一漏极、第一源极、以及第一栅极；和第二晶体管，具有第二漏极、第二源极、以及第二栅极；所述第一漏极连接至所述第二读位线；所述第一源极连接至所述第二漏极；以及

电流吸收电路，连接至所述第二源极并且被配置为吸收流过所述第二读位线、所述第一晶体管、以及所述第二晶体管的电流。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，所述存储器单元包括：

存储器读电路，具有第一存储器晶体管，所述第一存储器晶体管具有第一存储器漏极、第一存储器源极、以及第一存储器栅极；以及第二存储器晶体管，具有第二存储器漏极、第二存储器源极、以及第二存储器栅极；

所述第一存储器漏极连接至所述第一读位线；以及

所述第一存储器源极连接至所述第二存储器漏极。

6.根据权利要求4所述的电路，其中，所述电流吸收电路包括至少一个晶体管，连接至所述第二源极。

7.根据权利要求4所述的电路，其中，所述电流吸收电路包括至少一个第一电流吸收电路，所述第一电流吸收电路包括：

第三晶体管，具有第三漏极、第三源极、以及第三栅极；

第四晶体管，具有第四漏极、第四源极、以及第四栅极；

第五晶体管，具有第五漏极、第五源极、以及第五栅极；以及

第六晶体管，具有第六漏极、第六源极、以及第六栅极；其中

所述第三漏极、所述第四漏极、以及所述第二源极连接在一起，并且用作连接节点；

所述第三源极和所述第五漏极连接在一起；以及

所述第四源极和所述第六漏极连接在一起。

8.根据权利要求1所述的电路，其中，当读取所述多个第一存储器单元中的所述存储器单元时，所述存储器单元被配置为吸收存储器电流，并且所述第二参考单元被配置为吸收低于所述存储器电流的参考电流。

9.一种方法，包括：

将第一位线和第二位线充电至高电压值，其中，所述第一位线连接至多个第一存储器单元和读出放大器的第一输入端并且所述第二位线连接至多个第二存储器单元和所述读出放大器的第二输入端；从而所述第一位线和所述第二位线具有第一位线高电压值和第二位线高电压值；

降低所述第一位线高电压值，产生低于所述第二位线高电压值的参考电压值；

使用存储在电连接至所述第二位线的存储器单元中的数据，以使所述第二位线高电压值保持不变或者低于所述参考电压值；以及

所述读出放大器提供输出，所述输出基于所述参考电压值和所述第二位线的电压值之间的电压差反应存储在所述存储器单元中的所述数据。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，使用所述数据包括：

将存储在所述存储器单元中的所述数据传送至晶体管的栅极；所述数据通过保持所述晶体管为截止状态使所述第二位线高电压值保持不变；所述数据通过具有导通状态的所述晶体管来使所述第二位线高电压值低于所述参考电压值。